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1. (WO2018193966) 加工対象物切断方法
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国際公開番号: WO/2018/193966 国際出願番号: PCT/JP2018/015410
国際公開日: 25.10.2018 国際出願日: 12.04.2018
IPC:
H01L 21/301 (2006.01) ,B23K 26/53 (2014.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301
半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
[IPC code unknown for B23K 26/53]
出願人:
浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 静岡県浜松市東区市野町1126番地の1 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558, JP
発明者:
坂本 剛志 SAKAMOTO Takeshi; JP
代理人:
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi; JP
優先権情報:
2017-08153017.04.2017JP
発明の名称: (EN) WORKPIECE CUTTING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE DÉCOUPE DE PIÈCE À USINER
(JA) 加工対象物切断方法
要約:
(EN) This workpiece cutting method is provided with: a first step of preparing a workpiece having a single crystal silicon substrate and a functional element layer provided on a first primary surface side; a second step of irradiating the workpiece with a laser beam to form at least one row of modified regions, inside the single crystal silicon substrate, along each of a plurality of cutting scheduled lines, and forming a crack, in the workpiece, along each of the plurality of cutting scheduled lines so that the crack extends between the at least one row of modified regions and a second primary surface of the workpiece; a third step of forming an etching protective layer having a gas passing region formed along each of the plurality of cutting scheduled lines, on the second primary surface; and a fourth step of performing dry etching on the work piece from the second primary surface side, and thereby forming, in the workpiece, grooves which open to the second primary surface and are formed along each of the plurality of cutting scheduled lines, the dry etching being performed in a state in which the etching protective layer is formed on the secondary primary surface.
(FR) La présente invention concerne un procédé de découpe de pièce à usiner qui comprend : une première étape de préparation d'une pièce à usiner comportant un substrat de silicium monocristallin et une couche d'élément fonctionnel disposée sur un côté de première surface principale ; une deuxième étape d'exposition de la pièce à usiner à un faisceau laser afin de former au moins une rangée de régions modifiées, à l'intérieur du substrat de silicium monocristallin, le long de chaque ligne d'une pluralité de lignes planifiées de découpe, et de former une fissure, dans la pièce à usiner, le long de chaque ligne de la pluralité de lignes planifiées de découpe de sorte que la fissure s'étend entre ladite rangée de régions modifiées et une seconde surface primaire de la pièce à usiner ; une troisième étape de formation d'une couche protectrice de gravure comportant une région de passage de gaz formée le long de chaque ligne de la pluralité de lignes planifiées de découpe, sur la seconde surface primaire ; et une quatrième étape de réalisation d'une gravure sèche sur la pièce à usiner à partir du côté de seconde surface primaire, et formant ainsi, dans la pièce à usiner, des rainures qui s'ouvrent sur la seconde surface primaire et qui sont formées le long de chaque ligne de la pluralité de lignes planifiées de découpe, la gravure sèche étant effectuée dans un état où la couche protectrice de gravure est formée sur la seconde surface primaire.
(JA) 加工対象物切断方法は、単結晶シリコン基板と、第1主面側に設けられた機能素子層と、を有する加工対象物を準備する第1ステップと、加工対象物にレーザ光を照射することにより、複数の切断予定ラインのそれぞれに沿って、単結晶シリコン基板の内部に、少なくとも1列の改質領域を形成し、複数の切断予定ラインのそれぞれに沿って、加工対象物に、少なくとも1列の改質領域と加工対象物の第2主面との間に渡るように亀裂を形成する第2ステップと、複数の切断予定ラインのそれぞれに沿ってガス通過領域が形成されたエッチング保護層を第2主面に形成する第3ステップと、エッチング保護層が第2主面に形成された状態で、加工対象物に第2主面側からドライエッチングを施すことにより、複数の切断予定ラインのそれぞれに沿って、加工対象物に、第2主面に開口する溝を形成する第4ステップと、を備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)