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1. (WO2018193964) 加工対象物切断方法及び半導体チップ

Pub. No.:    WO/2018/193964    International Application No.:    PCT/JP2018/015394
Publication Date: Fri Oct 26 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Apr 13 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 21/301
B23K 26/53
H01L 21/683
Applicants: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
浜松ホトニクス株式会社
Inventors: SAKAMOTO Takeshi
坂本 剛志
Title: 加工対象物切断方法及び半導体チップ
Abstract:
加工対象物切断方法は、単結晶シリコン基板と、第1主面側に設けられた機能素子層と、を有する加工対象物を準備する第1ステップと、加工対象物にレーザ光を照射することにより、複数の切断予定ラインのそれぞれに沿って、単結晶シリコン基板の内部に、少なくとも1列の改質領域を形成し、複数の切断予定ラインのそれぞれに沿って、加工対象物に、少なくとも1列の改質領域と加工対象物の第2主面との間に渡るように亀裂を形成する第2ステップと、加工対象物に第2主面側からドライエッチングを施すことにより、複数の切断予定ラインのそれぞれに沿って、加工対象物に、第2主面に開口する溝を形成する第3ステップと、を備える。第3ステップでは、少なくとも1列の改質領域が除去されることにより、除去された改質領域に対応する凹凸形状を呈し且つ単結晶シリコンが露出した凹凸領域が溝の内面に形成されるように、第2主面側からドライエッチングを施す。