このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018193929) 半導体モジュールおよび電力変換装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/193929 国際出願番号: PCT/JP2018/015198
国際公開日: 25.10.2018 国際出願日: 11.04.2018
IPC:
H02M 7/48 (2007.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H 電気
02
電力の発電,変換,配電
M
交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
7
交流入力一直流出力変換;直流入力―交流出力変換
42
直流入力―交流出力変換であって非可逆的なもの
44
静止型変換器によるもの
48
制御電極をもつ放電管または制御電極をもつ半導体装置を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
森崎 翔太 MORISAKI, Shota; JP
玉田 美子 TAMADA, Yoshiko; JP
中嶋 純一 NAKASHIMA, Junichi; JP
大宅 大介 OYA, Daisuke; JP
代理人:
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島三丁目2番4号 中之島フェスティバルタワー・ウエスト Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報:
2017-08308819.04.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR MODULE AND POWER CONVERSION DEVICE
(FR) MODULE SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) 半導体モジュールおよび電力変換装置
要約:
(EN) The present invention addresses the problem that emitter wiring that connects the emitter of a semiconductor switching element (2b) and a negative electrode (12) and emitter wiring that connects the emitter of semiconductor switching element (2a) and the negative electrode (12) are different from each other in one or both of length and width. An induced electromotive force is generated in gate control wires (61a), (61b), gate patterns (6a), (6b), or emitter wires (41a), (41b) by at least one of the current flowing through a positive electrode (10) and the current flowing through the negative electrode (12) so as to reduce the difference between the emitter potential of the semiconductor switching element (2b) and the emitter potential of the semiconductor switching element (2a), which occurs during switching due to the difference in the length and the width.
(FR) La présente invention aborde le problème selon lequel un câblage d'émetteur, qui relie l'émetteur d'un élément de commutation (2b) à semi-conducteur et une électrode négative (12), et un câblage d'émetteur, qui relie l'émetteur d'un élément de commutation (2a) à semi-conducteur et l'électrode négative (12), diffèrent l'un de l'autre en longueur et/ou en largeur. Une force électromotrice induite est produite dans des fils de commande de grille (61a), (61b), dans des motifs de grille (6a), (6b) ou dans des fils d'émetteur (41a), (41b) par au moins le courant circulant à travers une électrode positive (10) et/ou le courant circulant à travers l'électrode négative (12), de manière à réduire la différence entre le potentiel d'émetteur de l'élément de commutation (2b) à semi-conducteur et le potentiel d'émetteur de l'élément de commutation (2a) à semi-conducteur, qui se manifeste pendant la commutation, en raison de la différence de longueur et de largeur.
(JA) 半導体スイッチング素子(2b)のエミッタと負極電極(12)とを接続するエミッタ配線、半導体スイッチング素子(2a)のエミッタと負極電極(12)とを接続するエミッタ配線の間で、長さと幅の一方または両方が相違する。スイッチング時において、そのような相違に起因して生じる半導体スイッチング素子(2b)のエミッタ電位と半導体スイッチング素子(2a)のエミッタ電位との差を低減するように、正極電極(10)を流れる電流および負極電極(12)を流れる電流の少なくとも一方によって、ゲート制御ワイヤ(61a),(61b)に、あるいはゲートパターン(6a),(6b)、あるいはエミッタワイヤ(41a),(41b)に誘導起電力を発生させる。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)