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1. (WO2018193916) 両性界面活性剤を含む研磨用組成物
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国際公開番号: WO/2018/193916 国際出願番号: PCT/JP2018/015089
国際公開日: 25.10.2018 国際出願日: 10.04.2018
IPC:
C09K 3/14 (2006.01) ,B24B 37/00 (2012.01) ,C09G 1/02 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01)
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K
他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
3
物質であって,他に分類されないもの
14
抗スリップ物質;研摩物質
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
B
研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37
ラッピング機械または装置;附属装置
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
G
フレンチポリッシュ以外のつや出し組成物;スキーワックス
1
つや出し組成物
02
研摩剤または粉砕剤を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人:
日産化学株式会社 NISSAN CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 東京都中央区日本橋二丁目5番1号 5-1, Nihonbashi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1036119, JP
発明者:
境田 広明 SAKAIDA, Hiroaki; JP
石水 英一郎 ISHIMIZU, Eiichiro; JP
代理人:
特許業務法人はなぶさ特許商標事務所 HANABUSA PATENT & TRADEMARK OFFICE; 東京都千代田区神田駿河台3丁目2番地 新御茶ノ水アーバントリニティ Shin-Ochanomizu Urban Trinity, 2, Kandasurugadai 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010062, JP
優先権情報:
2017-08153117.04.2017JP
発明の名称: (EN) POLISHING COMPOSITION CONTAINING AMPHOTERIC SURFACTANT
(FR) COMPOSITION DE POLISSAGE CONTENANT UN TENSIOACTIF AMPHOTÈRE
(JA) 両性界面活性剤を含む研磨用組成物
要約:
(EN) [Problem] To provide: a polishing composition which, when used in a wafer polishing step, gives a flat polished surface having a small difference in surface level between the central part and peripheral part (laser mark part) of the wafer; and a method for producing a wafer using the polishing composition. [Solution] A polishing composition which comprises water, silica particles, an alkaline substance, and an amphoteric surfactant represented by formula (1), wherein the silica particles are the silica particles of an aqueous dispersion of silica particles having an average primary-particle diameter of 5-100 nm; and a wafer production method comprising a wafer polishing step in which a wafer is polished until the difference in surface level between the central part and peripheral part of the wafer becomes 100 nm or smaller. (In formula (1), R1 is a C10-20 alkyl group or an amidated C1-5 alkyl group; R2 and R3 are each independently a C1-9 alkyl group; and X- is a C1-5 anionic organic group including a carboxylic acid ion or sulfonic acid ion.)
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir : une composition de polissage, laquelle, lorsqu'elle est utilisée dans une étape de polissage de tranche, donne une surface polie plate présentant une petite différence de niveau de surface entre la partie centrale et la partie périphérique (partie de marquage laser) de la tranche; et un procédé de production d'une tranche à l'aide de la composition de polissage. La solution selon l'invention porte sur une composition de polissage qui comprend de l'eau, des particules de silice, une substance alcaline et un tensioactif amphotère représenté par la formule (1), les particules de silice étant les particules de silice d'une dispersion aqueuse de particules de silice ayant un diamètre moyen de particule primaire de 5 à 100 nm; et un procédé de production de tranche comprenant une étape de polissage de tranche dans laquelle une tranche est polie jusqu'à ce que la différence de niveau de surface entre la partie centrale et la partie périphérique de la tranche devienne inférieure ou égale à 100 nm. (Dans la formule (1), R1 représente un groupe alkyle en C10-20 ou un groupe alkyle en C1-5 amidé; R2 et R3 représentent chacun indépendamment un groupe alkyle en C1-9; et X- est un groupe organique anionique en C1-5 comprenant un ion acide carboxylique ou un ion acide sulfonique. )
(JA) 【課題】 ウェハーの研磨工程でウェハーの中心部と周辺部(レーザーマーク部分)の高低差が小さいフラット研磨面を与える研磨用組成物と、それを用いたウェハーの製造方法を提供する。 【解決手段】水、シリカ粒子、アルカリ性物質、及び式(1)で示される両性界面活性剤: (式(1)中、R1は炭素原子数10~20のアルキル基、又はアミド基を含む炭素原子数1~5のアルキル基であり、R2及びR3はそれぞれ独立して、炭素原子数1~9のアルキル基であり、X-はカルボン酸イオン又はスルホン酸イオンを含む炭素原子数1~5の陰イオン性有機基である。)を含む研磨用組成物。シリカ粒子が5~100nmの平均一次粒子径を有するシリカ粒子の水性分散体によるシリカ粒子である。ウェハーの研磨工程が、ウェハーの中央部と周辺部の高低差が100nm以下になるまで研磨を行うことであるウェハーの製造方法。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)