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1. (WO2018193841) ウェハの表面処理方法及び該方法に用いる組成物
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国際公開番号: WO/2018/193841 国際出願番号: PCT/JP2018/014353
国際公開日: 25.10.2018 国際出願日: 04.04.2018
IPC:
H01L 21/304 (2006.01) ,C09K 3/18 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K
他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
3
物質であって,他に分類されないもの
18
氷,霧,水の付着を減少させるために表面に適用するもの;表面に適用する解氷(雪)用あるいは氷点降下用物質
出願人:
セントラル硝子株式会社 CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 山口県宇部市大字沖宇部5253番地 5253, Oaza Okiube, Ube-shi, Yamaguchi 7550001, JP
発明者:
高田 朋宏 TAKATA, Tomohiro; JP
照井 貴陽 TERUI, Yoshiharu; JP
代理人:
小林 博通 KOBAYASHI, Hiromichi; JP
富岡 潔 TOMIOKA, Kiyoshi; JP
山口 幸二 YAMAGUCHI, Koji; JP
優先権情報:
2017-08109517.04.2017JP
発明の名称: (EN) WAFER SURFACE PROCESSING METHOD AND COMPOSITION FOR USE WITH SAID METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SURFACE DE TRANCHE ET COMPOSITION DESTINÉE À ÊTRE UTILISÉE AVEC LEDIT PROCÉDÉ
(JA) ウェハの表面処理方法及び該方法に用いる組成物
要約:
(EN) This wafer surface processing method for cleaning a wafer having an irregular pattern on a surface thereof and including Si element at least in the recess, the method comprising a step of forming a water-repellent protection film at least on the recess surface by subjecting the irregular pattern surface to a vapor of a composition in a state in which a liquid is held at least in the recess of the irregular pattern, changing the state of the vapor into a liquid state of the composition on the wafer surface, substituting the liquid of the composition for the liquid held in the recess, and holding the substituted liquid. The method is characterized in that: the composition includes a silylation agent expressed by a general formula (1), and a solvent in which a fluorine-containing ether expressed by a general formula (2) and having a boiling point lower than the boiling point of the silylation agent occupies 99.8 to 100 mass% with respect to a total of 100 mass%; and the amount of the silylation agent with respect to a total amount of the silylation agent and the solvent is 2 to 30 mass%. (1) (R1)y(H)4-x-ySi[N(R2)2]x (2) CnF2n+1-O-CmH2m+1 The composition provides a water-repellency providing effect equivalent to that of conventional art, can be vaporized at a temperature such that thermal decomposition of the silylation agent serving as a protection film forming component is not caused, and can suppress deposition or precipitation of insoluble matter even when the concentration of the silylation agent is not less than 2 mass%.
(FR) La présente invention concerne un procédé de traitement de surface de tranche permettant de nettoyer une tranche présentant un motif irrégulier sur une de ses surfaces et comprenant un élément de Si au moins dans l'évidement, le procédé comprenant une étape consistant à former un film de protection hydrophobe au moins sur la surface d'évidement par soumission de la surface à motif irrégulier à une vapeur d'une composition dans un état où un liquide est retenu au moins dans l'évidement du motif irrégulier, à changer l'état de la vapeur en un état liquide de la composition sur la surface de la tranche, à remplacer le liquide de la composition par le liquide retenu dans l'évidement, et à retenir le liquide remplacé. Le procédé est caractérisé en ce que : la composition comprend un agent de silylation exprimé par une formule générale (1), et un solvant dans lequel un éther contenant du fluor exprimé par une formule générale (2) et présentant un point d'ébullition inférieur au point d'ébullition de l'agent de silylation occupe de 99,8 à 100 % en masse par rapport à un total de 100 % en masse ; et la teneur de l'agent de silylation par rapport à une teneur totale de l'agent de silylation et du solvant est de 2 à 30 % en masse. (1) (R1)y(H)4-x-ySi[N(R2)2]x (2) CnF2n+1-O-CmH2m+1 La composition procure un effet d'hydrophobie équivalent à celui de l'état de la technique, peut être vaporisé à une température telle que la décomposition thermique de l'agent de silylation servant de constituant de formation de film de protection n'est pas provoquée, et peut supprimer le dépôt ou la précipitation de matière insoluble même lorsque la concentration de l'agent de silylation est supérieure ou égale à 2 % en masse.
(JA) 表面に凹凸パターンを有し、少なくとも該凹部にSi元素を有するウェハの洗浄において、前記凹凸パターンの少なくとも凹部に液体を保持した状態で、組成物の蒸気を前記凹凸パターン表面に供して、ウェハ表面にて該蒸気を前記組成物の液体状態に状態変化して、前記凹部に保持された液体を該組成物の液体に置換して保持することにより、少なくとも前記凹部表面に撥水性保護膜を形成する工程を含み、 上記組成物は、 下記一般式[1]で表されるシリル化剤と、 前記シリル化剤の沸点よりも低沸点の下記一般式[2]で表される含フッ素エーテルが、総量100質量%のうち99.8~100質量%である溶媒と、を含み、 前記シリル化剤と溶媒の総量に対する該シリル化剤の量が2~30質量%であることを特徴とする。 (R1y(H)4-x-ySi[N(R22x [1] Cn2n+1-O-Cm2m+1 [2] 上記組成物は、従来と同等の撥水性付与効果を奏するとともに、保護膜形成成分であるシリル化剤の熱分解が引き起こされる恐れがない温度で蒸気化でき、シリル化剤の濃度が2質量%以上であっても不溶物の析出や沈殿を抑制することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)