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1. (WO2018193753) 絶縁膜の成膜方法、絶縁膜の成膜装置及び基板処理システム

Pub. No.:    WO/2018/193753    International Application No.:    PCT/JP2018/009752
Publication Date: Fri Oct 26 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Mar 14 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 21/316
H01L 21/76
H01L 21/768
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED
東京エレクトロン株式会社
Inventors: MURAMATSU, Makoto
村松 誠
SAITO, Yusuke
齋藤 祐介
GENJIMA, Hisashi
源島 久志
FUJII, Hiroyuki
藤井 寛之
Title: 絶縁膜の成膜方法、絶縁膜の成膜装置及び基板処理システム
Abstract:
【課題】基板上に酸化シリコンを含む絶縁膜を塗布膜として形成するにあたって、良好な膜質が得られる技術を提供すること。 【解決手段】ポリシラザンを含む塗布液をウエハWに塗布し、塗布液の溶媒を揮発させた後、キュア工程を行う前に、窒素雰囲気で前記塗布膜に紫外線を照射している。このためポリシラザンにおける加水分解される部位にて未結合手が生成されやすい。そのため予め加水分解される部位であるシリコンに未結合手を生成していることから、水酸基の生成効率が高くなる。即ち、加水分解に必要なエネルギーが低下することから、キュア工程の温度を350℃としたときにも、加水分解されずに残る部位が少なくなる。この結果効率的に脱水縮合が起こるので、架橋率が向上して緻密な(良質な膜質である)絶縁膜を成膜することができる。