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1. (WO2018193608) ストレージシステム、ストレージ装置の制御方法およびストレージ制御装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2018/193608 国際出願番号: PCT/JP2017/015988
国際公開日: 25.10.2018 国際出願日: 21.04.2017
IPC:
G06F 3/06 (2006.01) ,G06F 1/28 (2006.01) ,G06F 3/08 (2006.01) ,G06F 12/00 (2006.01)
G 物理学
06
計算;計数
F
電気的デジタルデータ処理
3
計算機で処理しうる形式にデータを変換するための入力装置;処理ユニットから出力ユニットへデータを転送するための出力装置,例.インタフェース装置
06
記録担体からのデジタル入力または記録担体へのデジタル出力
G 物理学
06
計算;計数
F
電気的デジタルデータ処理
1
グループ3/00~13/00および21/00に包含されないデータ処理装置の細部
26
電力供給手段,例.電源の安定化
28
電源の監視,例.規定値はずれの監視による電力供給不良の検知
G 物理学
06
計算;計数
F
電気的デジタルデータ処理
3
計算機で処理しうる形式にデータを変換するための入力装置;処理ユニットから出力ユニットへデータを転送するための出力装置,例.インタフェース装置
06
記録担体からのデジタル入力または記録担体へのデジタル出力
08
個別的な記録担体たとえばせん孔カードからのデジタル入力またはこのような記録担体へのデジタル出力
G 物理学
06
計算;計数
F
電気的デジタルデータ処理
12
メモリ・システムまたはアーキテクチャ内でのアクセシング,アドレシングまたはアロケーティング(情報記憶一般G11)
出願人:
株式会社日立製作所 HITACHI, LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280, JP
発明者:
兒玉 征之 KODAMA, Tomoyuki; JP
鶴谷 昌弘 TSURUYA, Masahiro; JP
代理人:
特許業務法人藤央特許事務所 TOU-OU PATENT FIRM; 東京都港区虎ノ門一丁目16番4号アーバン虎ノ門ビル Urban Toranomon Bldg., 16-4, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) STORAGE SYSTEM, CONTROL METHOD FOR STORAGE DEVICE, AND STORAGE CONTROL DEVICE
(FR) SYSTÈME DE STOCKAGE, PROCÉDÉ DE COMMANDE POUR DISPOSITIF DE STOCKAGE ET DISPOSITIF DE COMMANDE DE STOCKAGE
(JA) ストレージシステム、ストレージ装置の制御方法およびストレージ制御装置
要約:
(EN) Provided is a storage device having a storage device including a plurality of nonvolatile semiconductor drives and a control device which includes a processor and a memory and controls the storage device. The processor measures a drive write load of each of the nonvolatile semiconductor drives, selects, in the case where a nonvolatile semiconductor drive, the write load of which exceeds a predetermined threshold value is detected, the nonvolatile semiconductor drive as a drive to be subjected to relaxation of restriction on power consumption, and selects, from among the nonvolatile semiconductor drives except the drive to be subjected to the relaxation of the restriction on the power consumption, a nonvolatile semiconductor drive capable of accepting a reduction in power consumption as a drive to be subjected to strengthening of restriction on power consumption. After the power consumption of the nonvolatile semiconductor drive to be subjected to the strengthening of the restriction on the power consumption is reduced, the processor increases the power consumption of the nonvolatile semiconductor drive to be subjected to the relaxation of the restriction on the power consumption.
(FR) L'invention concerne un dispositif de stockage ayant un dispositif de stockage comprenant une pluralité de lecteurs semi-conducteurs non volatiles et un dispositif de commande qui comprend un processeur et une mémoire et commande le dispositif de stockage. Le processeur mesure une charge d'écriture de lecteur de chacun des lecteurs semi-conducteurs non volatiles, sélectionne, dans le cas où un lecteur semi-conducteur non volatil, dont la charge d'écriture dépasse une valeur de seuil prédéterminée est détectée, le lecteur de semi-conducteur non volatil en tant que lecteur devant être soumis à une relaxation de restriction sur la consommation d'énergie, et sélectionne, parmi les lecteurs semi-conducteurs non volatils, à l'exception de lecteur à soumettre à la relaxation de la restriction sur la consommation d'énergie, un lecteur de semi-conducteur non volatil capable d'accepter une réduction de la consommation d'énergie en tant que lecteur devant être soumis à un renforcement de la limitation de la consommation d'énergie. Après que la consommation d'énergie du lecteur semi-conducteur non volatil devant être soumise au renforcement de la restriction sur la consommation d'énergie est réduite, le processeur augmente la consommation d'énergie du lecteur semi-conducteur non volatil à soumettre à la relaxation de la restriction sur la consommation d'énergie.
(JA) 複数の不揮発性半導体ドライブを含むストレージ装置と、プロセッサとメモリとを含んでストレージ装置を制御する制御装置とを有するストレージ装置であって、プロセッサは、前記不揮発性半導体ドライブの書き込み負荷をそれぞれ測定し、前記書き込み負荷が所定の閾値を超える不揮発性半導体ドライブを検出した場合には、当該不揮発性半導体ドライブを消費電力の制限緩和対象として選択し、前記消費電力の制限緩和対象以外の不揮発性半導体ドライブのうち、消費電力の低下を許容可能な不揮発性半導体ドライブを消費電力の制限強化対象として選択し、前記プロセッサは、前記消費電力の制限強化対象の不揮発性半導体ドライブの消費電力を低下させた後に、前記消費電力の制限緩和対象の不揮発性半導体ドライブの消費電力を増大させる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)