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1. (WO2018193584) CVD装置およびそのクリーニング方法
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国際公開番号: WO/2018/193584 国際出願番号: PCT/JP2017/015911
国際公開日: 25.10.2018 国際出願日: 20.04.2017
IPC:
H01L 21/31 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人:
堺ディスプレイプロダクト株式会社 SAKAI DISPLAY PRODUCTS CORPORATION [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai-shi, Osaka 5908522, JP
発明者:
庄司 敦史 SHOJI, Atsushi; JP
代理人:
鮫島 睦 SAMEJIMA, Mutsumi; JP
山崎 敏行 YAMASAKI, Toshiyuki; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) CVD DEVICE AND CLEANING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF CVD ET PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE CELUI-CI
(JA) CVD装置およびそのクリーニング方法
要約:
(EN) This CVD device 1 comprises: a chamber 10; a pair of electrodes 14; a gas supply source 11; a high-frequency power source 17; a power detector 16a for measuring reflected wave power; a film-formation execution unit 13e which executes a film-forming process, wherein a thin film is formed on a substrate 2 placed on one of the pair of electrodes 14, that involves generating plasma inside the chamber 10 by causing the gas supply source 11 to supply a raw material gas and causing the high-frequency power source 17 to supply high-frequency power; a cleaning execution unit 13a that, for each time a prescribed number of film formation processes are carried out, executes a cleaning process for eliminating unneeded film present inside the chamber 10 that involves generating plasma inside the chamber 10 by causing the gas supply source 11 to supply a cleaning gas and causing the high-frequency power source 17 to supply high-frequency power; and setting value determination units 13b, 13c that determine the setting values for predetermined items to be set in the cleaning process on the basis of the maximum value of a plurality of reflection wave powers measured by changing the setting values in a past plurality of times the cleaning process was executed.
(FR) L'invention concerne un dispositif CVD 1 comprenant : une chambre 10 ; une paire d’électrodes 14 ; une source de distribution de gaz 11 ; une source de puissance à haute fréquence 17 ; un détecteur de puissance 16a pour mesurer la puissance d’onde réfléchie ; une unité d’exécution de formation de film 13e qui exécute un processus de formation de film, un film mince étant formé sur un substrat 2 placé sur l’une de la paire d’électrodes 14, qui met en œuvre la génération d’un plasma à l’intérieur de la chambre 10 en amenant la source de distribution de gaz 11 à fournir un gaz de matière première et en ameneant la source de puissance à haute fréquence 17 à distribuer une puissance à haute fréquence ; une unité d’exécution de nettoyage 13a qui, chaque fois qu’un nombre prescrit de processus de formation de film est effectué, exécute un processus de nettoyage pour éliminer un film non nécessaire présent à l’intérieur de la chambre 10 qui met en œuvre la génération d’un plasma à l’intérieur de la chambre 10 en amenant la source de distribution de gaz 11 à distribuer un gaz de nettoyage et en ameneant la source de puissance à haute fréquence 17 à distribuer une puissance à haute fréquence ; et des unités de détermination de valeur de réglage 13b, 13c qui déterminent les valeurs de réglage pour des éléments prédéterminés devant être réglés dans le processus de nettoyage sur la base de la valeur maximale d’une pluralité de puissances d’onde de réflexion mesurées par modification des valeurs de réglage dans une pluralité passée de fois où le processus de nettoyage a été exécuté.
(JA) CVD装置1は、チャンバ10と、一対の電極14と、ガス供給源11と、高周波電源17と、反射波電力を測定する電力検出器16aと、一対の電極14の一方に基板2が載置された状態で、ガス供給源11に原料ガスを供給させるとともに高周波電源17に高周波電力を供給させてチャンバ10内にプラズマを発生させ、基板2上に薄膜を形成する成膜処理を実行する成膜実行部13eと、成膜処理を所定回数実行するごとに、ガス供給源11にクリーニングガスを供給させるとともに高周波電源17に高周波電力を供給させてチャンバ10内にプラズマを発生させ、チャンバ10内の不要膜を除去するクリーニング処理を実行するクリーニング実行部13aと、クリーニング処理における所定の設定項目の設定値を、過去複数回のクリーニング処理において設定値を変えて測定された複数の反射波電力の最大値に基づいて決定する設定値決定部13b,13cとを備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)