このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018193554) 半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/193554 国際出願番号: PCT/JP2017/015723
国際公開日: 25.10.2018 国際出願日: 19.04.2017
IPC:
C25D 13/02 (2006.01) ,C25D 13/00 (2006.01) ,C25D 13/10 (2006.01) ,C25D 13/12 (2006.01) ,H01L 21/301 (2006.01)
C 化学;冶金
25
電気分解または電気泳動方法;そのための装置
D
電気分解または電気泳動による被覆方法;電鋳;電気分解による加工品の接合;そのための装置
13
電気泳動被覆
02
無機材料
C 化学;冶金
25
電気分解または電気泳動方法;そのための装置
D
電気分解または電気泳動による被覆方法;電鋳;電気分解による加工品の接合;そのための装置
13
電気泳動被覆
C 化学;冶金
25
電気分解または電気泳動方法;そのための装置
D
電気分解または電気泳動による被覆方法;電鋳;電気分解による加工品の接合;そのための装置
13
電気泳動被覆
10
使用添加剤に特徴のあるもの
C 化学;冶金
25
電気分解または電気泳動方法;そのための装置
D
電気分解または電気泳動による被覆方法;電鋳;電気分解による加工品の接合;そのための装置
13
電気泳動被覆
12
被覆される物品に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301
半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
出願人:
新電元工業株式会社 SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目2番1号 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
発明者:
小笠原 淳 OGASAWARA Atsushi; JP
伊東 浩二 ITO Koji; JP
代理人:
永井 浩之 NAGAI Hiroshi; JP
中村 行孝 NAKAMURA Yukitaka; JP
佐藤 泰和 SATO Yasukazu; JP
朝倉 悟 ASAKURA Satoru; JP
出口 智也 DEGUCHI Tomoya; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約:
(EN) A semiconductor device production method comprises: a semiconductor wafer preparation step for preparing a semiconductor wafer W, on the glass film-forming surface of which mesa grooves 120 are formed; and a glass film-forming step in which a glass film 124 is formed on the glass film-forming surface by electrophoretic deposition with a first electrode plate 14 and a second electrode plate 16 set facing each other immersed in a suspension 12 in which lead-free glass microparticles are suspended in a solvent, the semiconductor wafer between the first electrode plate and the second electrode plate, and the glass film-forming surface facing toward the first electrode plate.
(FR) La présente invention concerne un procédé de production de dispositif à semi-conducteur qui comprend : une étape de préparation de tranche de semi-conducteur pour préparer une tranche de semi-conducteur W, sur la surface de formation de film de verre de laquelle des rainures mesa 120 sont formées ; et une étape de formation de film de verre dans laquelle un film de verre 124 est formé sur la surface de formation de film de verre par dépôt électrophorétique avec une première plaque d’électrode 14 et une deuxième plaque d’électrode 16 disposées face à face immergées dans une suspension 12 dans laquelle des microparticules de verre sans plomb sont en suspension dans un solvant, la tranche de semi-conducteur entre la première plaque d’électrode et la deuxième plaque d’électrode, et la surface de formation de film de verre faisant face à la première plaque d’électrode.
(JA) 半導体装置の製造方法は、ガラス被膜形成面にメサ溝120が形成された半導体ウェーハWを準備する半導体ウェーハ準備工程と、鉛フリーガラス微粒子を溶媒に懸濁させた懸濁液12に、第1電極板14と第2電極板16とを前記懸濁液に浸漬した状態で対向して設置するとともに、前記第1電極板と前記第2電極板との間に前記半導体ウェーハを前記ガラス被膜形成面が前記第1電極板側に向いた状態で、電気泳動堆積法により前記ガラス被膜形成面にガラス被膜124を形成するガラス被膜形成工程と、を含む。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)