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1. (WO2018193551) 光半導体装置及びその製造方法

Pub. No.:    WO/2018/193551    International Application No.:    PCT/JP2017/015712
Publication Date: Fri Oct 26 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Apr 20 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01S 5/026
H01S 5/22
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: MATSUMOTO, Keisuke
松本 啓資
ISHIMURA, Eitaro
石村 栄太郎
Title: 光半導体装置及びその製造方法
Abstract:
半導体レーザ(8)の後面側の一部が除去された除去部(11)の側面に後端面(12)が形成されている。金属薄膜ミラー(13)が除去部(11)の底面に形成されている。金属薄膜ミラー(13)は、後端面(12)から出射された背面光をモニターフォトダイオード(14)に向けて反射する。