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1. (WO2018193550) 半導体装置及びその製造方法

Pub. No.:    WO/2018/193550    International Application No.:    PCT/JP2017/015711
Publication Date: Fri Oct 26 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Apr 20 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/336
H01L 29/78
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: OKAMOTO, Chikayuki
岡本 誓行
Title: 半導体装置及びその製造方法
Abstract:
シリコン基板(1)の主面の上にゲート絶縁膜(2)を介してゲート電極(3)が形成されている。ソース領域(4)及びドレイン領域(5)がシリコン基板(1)の主面においてゲート電極(3)のサイドに形成されている。第1のシリサイド(6)がゲート電極(3)の上面及び側面に形成されている。第2のシリサイド(7)がソース領域(4)及びドレイン領域(5)の表面に形成されている。ゲート電極(3)の側面に側壁酸化膜が形成されていない。第2のシリサイド(7)はゲート電極(3)から離れた箇所に形成されている。