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1. (WO2018193538) 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体

Pub. No.:    WO/2018/193538    International Application No.:    PCT/JP2017/015677
Publication Date: Fri Oct 26 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Apr 20 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/316
C23C 16/40
C23C 16/455
H01L 21/31
Applicants: KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
株式会社KOKUSAI ELECTRIC
Inventors: NODA Takaaki
野田 孝暁
HORITA Hideki
堀田 英樹
OZAKI Takashi
尾崎 貴志
Title: 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体
Abstract:
第1原料が単独で存在した場合に第1原料が熱分解しない第1温度下で、基板に対して、第1原料と第1酸化剤とを供給することにより、基板の表面の下地上に、第1酸化膜を堆積させる工程と、第1温度よりも高い第2温度下で、基板に対して、第2原料と第2酸化剤とを供給することにより、第1酸化膜上に、第1酸化膜よりも厚い第2酸化膜を堆積させる工程と、を有する。