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1. (WO2018190224) 熱処理装置
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国際公開番号: WO/2018/190224 国際出願番号: PCT/JP2018/014432
国際公開日: 18.10.2018 国際出願日: 04.04.2018
IPC:
H01L 21/027 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
出願人:
株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神北町1番地の1 Tenjinkita-machi 1-1, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585, JP
発明者:
福本 靖博 FUKUMOTO Yasuhiro; JP
田中 裕二 TANAKA Yuji; JP
松尾 友宏 MATSUO Tomohiro; JP
石井 丈晴 ISHII Takeharu; JP
代理人:
杉谷 勉 SUGITANI Tsutomu; JP
優先権情報:
2017-07959813.04.2017JP
発明の名称: (EN) HEAT TREATMENT APPARATUS
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT THERMIQUE
(JA) 熱処理装置
要約:
(EN) On the side wall of a chamber (2), an exhaust port (23) which is flat in the horizontal direction is provided separately from a substrate entrance/exit port (21). The exhaust port (23) has an opening width HA1 which is equal to or larger than a projection length HA3 in the horizontal direction when a substrate (W) on a heat treatment plate (3) is horizontally projected on the side wall of the chamber (2) provided with the exhaust port (23), and the upper edge of the exhaust port (23) is located above a substrate mounting surface of the heat treatment plate (3). Since the exhaust port (23) is provided in the side wall of the chamber (2), even if the crystallized sublimate adheres, the sublimate is prevented from falling onto the substrate W. Further, since the exhaust port (23) has the opening width HA1 which is equal to or larger than the projected length HA3 in the horizontal direction, the gas including the sublimate can be recovered through the exhaust port (23) while preventing the accumulation of the gas above the substrate W.
(FR) Sur la paroi latérale d’une chambre (2), un orifice d’échappement (23) qui est plat dans la direction horizontale est disposé séparément d’un orifice d’entrée/sortie de substrat (21). L’orifice d’échappement (23) présente une largeur d’ouverture HA1 qui est égale ou supérieure à une longueur de projection HA3 dans la direction horizontale lorsqu’un substrat (W) sur une plaque de traitement thermique (3) est projeté horizontalement sur la paroi latérale de la chambre (2) pourvue de l’orifice d’échappement (23), et le bord supérieur de l’orifice d’échappement (23) est situé au-dessus d’une surface de montage de substrat de la plaque de traitement thermique (3). Étant donné que l’orifice d’échappement (23) est disposé dans la paroi latérale de la chambre (2), même si le sublimat cristallisé adhère, le sublimat est empêché de tomber sur le substrat W. En outre, étant donné que l’orifice d’échappement (23) a la largeur d’ouverture HA1 qui est égale ou supérieure à la longueur projetée HA3 dans la direction horizontale, le gaz comprenant le sublimat peut être récupéré à travers l’orifice d’échappement (23) tout en empêchant l’accumulation du gaz au-dessus du substrat W.
(JA) チャンバ(2)の側壁には、基板出入口(21)とは別に、水平方向に扁平な排気口(23)が設けられている。排気口(23)は、熱処理プレート(3)上の基板(W)を排気口(23)が設けられたチャンバ(2)の側壁に水平投影させた場合の水平方向の投影長さHA3以上の開口幅HA1を有し、かつ、排気口(23)の上縁が熱処理プレート(3)の基板載置面よりも上方に位置する。排気口(23)がチャンバ(2)の側壁に設けられているので、仮に結晶化した昇華物が付着したとしても、基板W上への昇華物の落下が抑えられる。また、排気口(23)は、水平方向の投影長さHA3以上の開口幅HA1を有しているので、基板Wの上方における、昇華物を含む気体の滞留を抑制しつつ排気口(23)を通じて、その気体を回収できる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)