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1. (WO2018190126) 固体撮像装置、及び電子機器
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国際公開番号: WO/2018/190126 国際出願番号: PCT/JP2018/012713
国際公開日: 18.10.2018 国際出願日: 28.03.2018
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
出願人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者:
上杉 雄二 UESUGI Yuji; JP
古閑 史彦 KOGA Fumihiko; JP
畑野 啓介 HATANO Keisuke; JP
代理人:
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; JP
優先権情報:
2017-07818211.04.2017JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置、及び電子機器
要約:
(EN) The present technique relates to a solid-state imaging device and an electronic apparatus which make it possible to improve pixel characteristics. Provided is a solid-state imaging device provided with: a first electrode formed on a semiconductor layer; a photoelectric conversion layer formed on the first electrode; a second electrode formed on the photoelectric conversion layer; and a third electrode which is disposed between adjacent first electrodes and which is electrically insulated. The voltage of the third electrode is controlled to a voltage in accordance with a detection result which can contribute to control of charge ejection or charge transfer assistance. The present technique may be applied in a CMOS image sensor, for example.
(FR) La présente technique concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteur et un appareil électronique qui permettent d'améliorer les caractéristiques de pixel. L'invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteur comprenant : une première électrode formée sur une couche semi-conductrice; une couche de conversion photoélectrique formée sur la première électrode; une seconde électrode formée sur la couche de conversion photoélectrique; et une troisième électrode qui est disposée entre des premières électrodes adjacentes et qui est électriquement isolée. La tension de la troisième électrode est commandée à une tension en fonction d'un résultat de détection qui peut contribuer à la commande de l'éjection de charge ou de l'assistance au transfert de charge. La présente technique peut par exemple être appliquée à un capteur d'image CMOS.
(JA) 本技術は、画素の特性を向上させることができるようにする固体撮像装置、及び電子機器に関する。 半導体層上に形成される第1の電極と、第1の電極上に形成される光電変換層と、光電変換層上に形成される第2の電極と、隣接する第1の電極の間に設けられ、電気的に絶縁された第3の電極とを備え、第3の電極の電圧を、電荷の排出又は電荷の転送補助の制御に寄与し得る検知結果に応じた電圧に制御する固体撮像装置が提供される。本技術は、例えば、CMOSイメージセンサに適用することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)