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1. (WO2018190023) 放熱基板、放熱基板電極、半導体パッケージ、及び半導体モジュール
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国際公開番号: WO/2018/190023 国際出願番号: PCT/JP2018/008075
国際公開日: 18.10.2018 国際出願日: 02.03.2018
IPC:
H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 23/36 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
34
冷却,加熱,換気または温度補償用装置
36
冷却または加熱を容易にするための材料の選択または成形,例.ヒート・シンク
出願人:
株式会社半導体熱研究所 SUPERUFO291 TEC [JP/JP]; 京都府京都市中京区河原町通二条下ル一之船入町376 クロトビル4F 4F, CLOTO Building, 376, Ichinofunairi-cho, Kawaramachi-dori Nijyo-sagaru, Nakagyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6040924, JP
発明者:
福井 彰 FUKUI, Akira; JP
代理人:
特許業務法人京都国際特許事務所 KYOTO INTERNATIONAL PATENT LAW OFFICE; 京都府京都市下京区東洞院通四条下ル元悪王子町37番地 豊元四条烏丸ビル Hougen-Sizyokarasuma Building, 37, Motoakuozi-tyo, Higasinotouin Sizyo-sagaru, Simogyo-ku, Kyoto-si, Kyoto 6008091, JP
優先権情報:
2017-08023314.04.2017JP
発明の名称: (EN) HEAT DISSIPATION SUBSTRATE, HEAT DISSIPATION SUBSTRATE ELECTRODE, SEMICONDUCTOR PACKAGE, AND SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) SUBSTRAT DE DISSIPATION DE CHALEUR, ÉLECTRODE DE SUBSTRAT DE DISSIPATION DE CHALEUR, BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR ET MODULE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 放熱基板、放熱基板電極、半導体パッケージ、及び半導体モジュール
要約:
(EN) A heat dissipation substrate having: a plate-shaped core base material comprising Mo, in which a through hole is formed that passes through in the thickness direction; an insertion body filling the interior of the through hole and comprising Cu and having no voids; a first joining layer formed continuously or discontinuously between the inner wall surface of the through hole and the insertion body, the first joining layer comprising Ni and having no voids; a heat-conducting layer formed on the front and back surfaces of the core base material, the heat-conducting layer comprising only Cu and having no voids; and a second joining layer formed continuously or discontinuously on the interface surface between the core base material and the heat-conducting layer, the second joining layer comprising Ni and having no voids. The maximum value of the linear expansion coefficient of the heat dissipation substrate in the temperature range from room temperature to 800°C is 10 ppm/K or less, the heat conductivity in the direction perpendicular to the surface at room temperature is 200 W/m∙K or greater, and the heat conductivity in the direction perpendicular to the surface is 200 W/m∙K or greater after performing a heat cycle test in which heating to 250°C and cooling to -40°C is repeated 100 times.
(FR) Un substrat de dissipation de chaleur comprend : un matériau de base central en forme de plaque comprenant du Mo, dans lequel est formé un trou traversant qui traverse dans le sens de l'épaisseur ; un corps d'insertion remplissant l'intérieur du trou traversant et comprenant du Cu et n'ayant pas de vides ; une première couche de jonction formée de façon continue ou discontinue entre la surface de paroi interne du trou traversant et le corps d'insertion, la première couche de liaison comprenant du Ni et n'ayant pas de vides ; une couche thermoconductrice formée sur les surfaces avant et arrière du matériau de base central, la couche thermoconductrice comprenant uniquement du Cu et n'ayant pas de vides ; et une seconde couche de jonction formée de façon continue ou discontinue sur la surface d'interface entre le matériau de base central et la couche thermoconductrice, la seconde couche de jonction comprenant du Ni et n'ayant pas de vides. La valeur maximale du coefficient de dilatation linéaire du substrat de dissipation de chaleur dans la plage de température allant de la température ambiante à 800 °C est inférieure ou égale à 10 ppm/K, la conductivité thermique dans la direction perpendiculaire à la surface à température ambiante est supérieure ou égale à 200 W/m∙K, et la conductivité thermique dans la direction perpendiculaire à la surface est supérieure ou égale à 200 W/m∙K après réalisation d'un test de cycle thermique dans lequel le chauffage à 250 °C et le refroidissement à -40 °C sont répétés 100 fois.
(JA) 厚さ方向に貫通する貫通孔が形成されたMoからなる板状の芯基材と、前記貫通孔の内部に充填されたCuのみからなるボイドのない挿入体と、前記貫通孔の内壁面と前記挿入体の間に連続的又は断続的に形成されたNiからなるボイドのない第1接合層と、前記芯基材の表裏面に形成されたCuのみからなるボイドのない熱伝導層と、前記芯基材と前記熱伝導層の界面に連続的又は断続的に形成されたNiからなるボイドのない第2接合層とを有し、室温から800℃の温度範囲における線膨張係数の最大値が10ppm/K以下であり、室温における表面に垂直な方向の熱伝導率が200W/m・K以上であり、250℃への加熱と-40℃への冷却を100回繰り返し行うヒートサイクルテストを行った後の前記表面に垂直な方向の熱伝導率が200W/m・K以上である放熱基板。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)