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1. (WO2018189999) 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置
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国際公開番号: WO/2018/189999 国際出願番号: PCT/JP2018/005955
国際公開日: 18.10.2018 国際出願日: 20.02.2018
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 27/30 (2006.01) ,H01L 31/10 (2006.01) ,H01L 51/42 (2006.01) ,H04N 5/374 (2011.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
28
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる構成部品を含むもの
30
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射への感応に特に適用される構成部品を有するもの;輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するか,またはこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用される構成部品を有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08
輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
42
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応に特に適用されるもの;輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するか,またはこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374
アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
出願人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者:
古閑 史彦 KOGA Fumihiko; JP
代理人:
山本 孝久 YAMAMOTO Takahisa; JP
吉井 正明 YOSHII Masaaki; JP
優先権情報:
2017-07823611.04.2017JP
発明の名称: (EN) IMAGE PICKUP ELEMENT, LAMINATED IMAGE PICKUP ELEMENT, AND SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'ACQUISITION D'IMAGE, ÉLÉMENT STRATIFIÉ D'ACQUISITION D'IMAGE, ET DISPOSITIF D'ACQUISITION D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置
要約:
(EN) This image pickup element is provided with at least a photoelectric conversion section, a first transistor TR1, and a second transistor TR2. The photoelectric conversion section comprises a photoelectric conversion layer 13, a first electrode 11, and a second electrode 12, and furthermore, the photoelectric conversion section is provided with a first photoelectric conversion layer extending section 13A, a third electrode 51, and a fourth electrode 51C. The first transistor TR1 comprises: the second electrode 12 that functions as one source/drain section; the third electrode that functions as a gate section 51; and the first photoelectric conversion layer extending section 13A that functions as the other source/drain section. The first transistor TR1 (TRrst) is provided adjacent to the photoelectric conversion section.
(FR) Le présent élément d'acquisition d'image est muni d'au moins une section de conversion photoélectrique, d'un premier transistor TR1, et d'un second transistor TR2. La section de conversion photoélectrique comporte une couche 13 de conversion photoélectrique, une première électrode 11 et une deuxième électrode 12, et la section de conversion photoélectrique est en outre munie d'une première section 13A de prolongement de couche de conversion photoélectrique, d'une troisième électrode 51 et d'une quatrième électrode 51C. Le premier transistor TR1 comporte: la deuxième électrode 12 qui fonctionne comme une section de source/drain; la troisième électrode qui fonctionne comme une section 51 de grille; et la première section 13A de prolongement de couche de conversion photoélectrique qui fonctionne comme l'autre section de source/drain. Le premier transistor TR1 (TRrst) est placé de façon adjacente à la section de conversion photoélectrique.
(JA) 撮像素子は、少なくとも、光電変換部、第1トランジスタTR1及び第2トランジスタTR2を備えており、光電変換部は、光電変換層13、第1電極11及び第2電極12から成り、更に、第1光電変換層延在部13A、第3電極51及び第4電極51Cを備えており、第1トランジスタTR1は、一方のソース/ドレイン部として機能する第2電極12、ゲート部51として機能する第3電極、他方のソース/ドレイン部として機能する第1光電変換層延在部13Aから成り、第1トランジスタTR1(TRrst)は光電変換部に隣接して設けられている。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)