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1. (WO2018189964) 磁壁利用型アナログメモリ素子、磁壁利用型アナログメモリ、不揮発性ロジック回路及び磁気ニューロ素子

Pub. No.:    WO/2018/189964    International Application No.:    PCT/JP2017/046623
Publication Date: Fri Oct 19 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Dec 27 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 21/8239
H01L 27/105
H01L 29/82
H01L 43/08
Applicants: TDK CORPORATION
TDK株式会社
Inventors: SASAKI Tomoyuki
佐々木 智生
SHIBATA Tatsuo
柴田 竜雄
Title: 磁壁利用型アナログメモリ素子、磁壁利用型アナログメモリ、不揮発性ロジック回路及び磁気ニューロ素子
Abstract:
本発明の一態様にかかる磁壁利用型アナログメモリ素子は、第1の方向に磁化が配向した磁化固定層(1)と、磁化固定層(1)の一面に設けられた非磁性層(2)と、磁化固定層(1)に対して非磁性層(2)を挟んで設けられた磁壁駆動層(3)と、磁壁駆動層(3)に第1の方向に配向した磁化を供給する第1磁化供給手段(4)及び第1の方向と反対の第2の方向に配向した磁化を供給する第2磁化供給手段(5)と、を備え、第1磁化供給手段(4)及び第2磁化供給手段(5)のうち少なくとも一方は、磁壁駆動層(3)に接し、磁壁駆動層(3)に対して交差する方向に延在するスピン軌道トルク配線である。