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1. (WO2018189948) 半導体モジュール、半導体モジュールの製造方法および電力変換装置
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国際公開番号: WO/2018/189948 国際出願番号: PCT/JP2017/043423
国際公開日: 18.10.2018 国際出願日: 04.12.2017
IPC:
H01L 21/60 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
60
動作中の装置にまたは装置から電流を流すためのリードまたは他の導電部材の取り付け
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
伊藤 悠策 ITO, Yusaku; JP
代理人:
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島三丁目2番4号 中之島フェスティバルタワー・ウエスト Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報:
2017-07894812.04.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR MODULE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULE, AND POWER CONVERSION APPARATUS
(FR) MODULE SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MODULE SEMI-CONDUCTEUR, APPAREIL DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) 半導体モジュール、半導体モジュールの製造方法および電力変換装置
要約:
(EN) The semiconductor module according to the present invention includes a substrate (1), a semiconductor element (3), and a wire (8). The semiconductor element (3) is joined on the substrate (1) and has a surface electrode (4). The wire (8) passes over the surface electrode (4) of the semiconductor element (3), and has both end portions (8a) bonded to the substrate (1). The wire (8) is electrically connected to the surface electrode (4).
(FR) Le module semi-conducteur selon la présente invention comprend un substrat (1), un élément semi-conducteur (3) et un fil (8). L'élément semi-conducteur (3) est joint sur le substrat (1) et comporte une électrode de surface (4). Le fil (8) passe sur l'électrode de surface (4) de l'élément semi-conducteur (3), et comporte à la fois des parties d'extrémité (8a) liées au substrat (1). Le fil (8) est électroconnecté à l'électrode de surface (4).
(JA) 半導体モジュールは、基板(1)と、半導体素子(3)と、ワイヤ(8)とを備えている。半導体素子(3)は、基板(1)上に接合され、かつ表面電極(4)を有する。ワイヤ(8)は、半導体素子(3)の表面電極(4)をまたいで両端部(8a)の各々が基板(1)にボンディングされている。ワイヤ(8)は、表面電極(4)と電気的に接続されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)