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1. (WO2018189943) 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
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国際公開番号: WO/2018/189943 国際出願番号: PCT/JP2017/039893
国際公開日: 18.10.2018 国際出願日: 06.11.2017
IPC:
H01L 21/336 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 21/336][IPC code unknown for G02F 1/1368][IPC code unknown for H01L 29/786]
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
山林 弘也 YAMARIN Hiroya; JP
古畑 武夫 FURUHATA Takeo; JP
井上 和式 INOUE Kazunori; JP
代理人:
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; JP
有田 貴弘 ARITA Takahiro; JP
優先権情報:
2017-07881512.04.2017JP
発明の名称: (EN) THIN-FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHE MINCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
要約:
(EN) The purpose of the present invention is to provide a thin-film transistor substrate configured so as to suppress the intensity and amount of light being incident from an LED or the like onto a semiconductor channel layer. The TFT substrate (100) according to the present invention comprises a light shielding film (50A) provided, continuously and adjacently to a common electrode (5), below a drain electrode (8) in an area overlapping a drain electrode (7) in plan view. The TFT substrate (100) further comprises a light shielding film (50B) provided below a source electrode (8) in an area in which the source electrode (8) and the common electrode (5) overlap in plan view. Additionally, the TFT substrate (100) is equipped with a conductive light shielding film (50C) above a gate electrode (2) at a gate terminal section (30). The light shielding film (50C) is electrically connected to the gate electrode (2) and overlaps the gate electrode (2) in plan view.
(FR) L’objet de la présente invention est de réaliser un substrat de transistor à couche mince conçu de manière à supprimer l’intensité et la quantité de lumière qui est incidente depuis une diode électroluminescente ou similaire sur une couche semi-conductrice de canal. Le substrat (100) de TFT selon la présente invention comprend une pellicule de protection contre la lumière (50A) disposée, de manière continue et adjacente à une électrode commune (5), sous une électrode de drain (8) dans une zone superposée à une électrode de drain (7) en vue planaire. Le substrat (100) de TFT comprend en outre une pellicule de protection contre la lumière (50B) disposée sous une électrode de source (8) dans une zone dans laquelle l’électrode de source (8) et l’électrode commune (5) se superposent en vue planaire. Par ailleurs, le substrat (100) de TFT est équipé d’une pellicule conductrice de protection contre la lumière (50C) au-dessus d’une électrode de grille (2) à une section de borne de grille (30). La pellicule de protection contre la lumière (50C) est connectée électriquement à l’électrode de grille (2) et est superposée à l’électrode de grille (2) en vue planaire.
(JA) 本発明は、LED等の入射光が半導体チャネル層に入射する光強度、光量を抑制する構造の薄膜トランジスタ基板を提供することを目的とする。そして、本発明であるTFT基板(100)は、ドレイン電極(8)の下方において、ドレイン電極(7)と平面視重複する領域に、共通電極(5)に隣接して連続的に設けられる遮光膜(50A)を有する。さらに、TFT基板(100)は、ソース電極(8)の下方において、ソース電極(8)と共通電極(5)とが平面視重複する領域に設けられる遮光膜(50B)を有する。加えて、TFT基板(100)は、ゲート端子部(30)において、ゲート電極(2)の上方に導電性を有する遮光膜(50C)を備える。遮光膜(50C)は、ゲート電極(2)に電気的に接続し、かつ、ゲート電極(2)と平面視重複している。
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アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)