このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018189898) 半導体受光素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/189898 国際出願番号: PCT/JP2017/015362
国際公開日: 18.10.2018 国際出願日: 14.04.2017
IPC:
H01L 31/107 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08
輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
101
赤外線,可視光線または紫外線の放射に感応する装置
102
唯一の電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
107
電位障壁がアバランシェモードで作用するもの,例.アバランシェフォトダイオード
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
山口 晴央 YAMAGUCHI, Harunaka; JP
竹村 亮太 TAKEMURA, Ryota; JP
代理人:
高田 守 TAKADA, Mamoru; JP
高橋 英樹 TAKAHASHI, Hideki; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-RECEIVING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE RÉCEPTION DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体受光素子
要約:
(EN) The invention comprises: an InP substrate comprising InP; a buffer layer provided above the InP substrate, in contact or not in contact with the InP substrate; an electron multiplier layer provided above the buffer layer, in contact with the buffer layer, and formed from an Al-containing material; a photoabsorption layer provided above the electron multiplier layer, absorbing light to generate a carrier; and a contact layer provided above the photoabsorption layer. The invention is characterized in that the material of the buffer layer is a quaternary crystal having a lower Al composition than the electron multiplier layer.
(FR) L'invention comprend : un substrat InP comprenant de l'InP; une couche tampon disposée au-dessus du substrat InP, en contact ou non en contact avec le substrat InP; une couche de multiplicateur d'électrons disposée au-dessus de la couche tampon, en contact avec la couche tampon, et formée à partir d'un matériau contenant de l'Al; une couche de photoabsorption disposée au-dessus de la couche de multiplicateur d'électrons, absorbant la lumière pour générer une porteuse; et une couche de contact disposée au-dessus de la couche de photoabsorption. L'invention est caractérisée en ce que le matériau de la couche tampon est un cristal quaternaire ayant une composition d'Al inférieure à celle de la couche de multiplicateur d'électrons.
(JA) InPを材料とするInP基板と、該InP基板の上に該InP基板に接して又は接することなく設けられたバッファ層と、該バッファ層の上に該バッファ層と接して設けられ、Alを含む材料で形成された電子増倍層と、該電子増倍層の上方に設けられ、光を吸収してキャリアを発生させる光吸収層と、該光吸収層の上方に設けられたコンタクト層と、を備える。そして、該バッファ層の材料は、電子増倍層よりもAl組成が低い四元の結晶であることを特徴とする。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)