このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018189835) 半導体素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/189835 国際出願番号: PCT/JP2017/014998
国際公開日: 18.10.2018 国際出願日: 12.04.2017
IPC:
H01S 5/02 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
02
レーザ作用にとって本質的ではない構造的な細部または構成
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
吉野 達郎 YOSHINO, Tatsuro; JP
鈴木 正人 SUZUKI, Masato; JP
根岸 将人 NEGISHI, Masato; JP
吉川 兼司 YOSHIKAWA, Kenji; JP
代理人:
高田 守 TAKADA, Mamoru; JP
高橋 英樹 TAKAHASHI, Hideki; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体素子の製造方法
要約:
(EN) The present invention is characterized by comprising: a step for forming, on a wafer, a plurality of semiconductor elements having an active region; a step for forming a plurality of cleavage grooves on the upper-surface side of the wafer; and a step for cleaving the wafer from the upper-surface side of the wafer and exposing a plurality of the active regions and steps formed by the plurality of cleavage grooves in a cross-section, the active regions being provided in semicircles in which the radius is the distance from the bottom of the cleavage grooves to the lower surface of the wafer and the center is on the lower surface of the wafer immediately below the cleaving-propagation-direction-side end part of the cleavage grooves.
(FR) La présente invention est caractérisée en ce qu'elle comprend : une étape consistant à former, sur une tranche, une pluralité d'éléments semi-conducteurs ayant une région active; une étape consistant à former une pluralité de rainures de clivage sur le côté surface supérieure de la tranche; et une étape de clivage de la tranche à partir du côté de surface supérieure de la tranche et d'exposition d'une pluralité des régions actives et des étapes formées par la pluralité de rainures de clivage dans une section transversale, les régions actives étant disposées en demi-cercles dans lesquels le rayon est la distance du fond des rainures de clivage à la surface inférieure de la tranche et le centre est sur la surface inférieure de la tranche immédiatement au-dessous de la partie d'extrémité côté direction de propagation-propagation des rainures de clivage.
(JA) ウエハに、活性領域を有する半導体素子を複数形成する工程と、該ウエハの上面側に劈開溝を複数形成する工程と、該ウエハを該ウエハの上面側から劈開し、断面に複数の該劈開溝によって形成された段差と、複数の該活性領域とを露出させる工程と、を備え、該活性領域は、該劈開溝の底から該ウエハの下面までの距離を半径とし、該劈開溝の劈開進行方向側の端部直下における該ウエハの下面を中心とする半円内に設けられたことを特徴とする。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)