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1. (WO2018189613) 半導体装置、撮像装置及び表示システム
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国際公開番号: WO/2018/189613 国際出願番号: PCT/IB2018/052221
国際公開日: 18.10.2018 国際出願日: 30.03.2018
IPC:
H04N 19/12 (2014.01) ,G06T 9/00 (2006.01) ,H01L 21/8234 (2006.01) ,H01L 21/8242 (2006.01) ,H01L 27/06 (2006.01) ,H01L 27/088 (2006.01) ,H01L 27/108 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/225 (2006.01) ,H04N 5/374 (2011.01) ,H04N 19/136 (2014.01) ,H04N 19/176 (2014.01) ,H04N 19/90 (2014.01)
[IPC code unknown for H04N 19/12]
G 物理学
06
計算;計数
T
イメージデータ処理または発生一般
9
イメージ符号化,例.ビットマップから非ビットマップへ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
8242
ダイナミックランダムアクセスメモリ構造(DRAM)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
06
複数の個々の構成部品を反復しない形で含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
08
1種類の半導体構成部品だけを含むもの
085
電界効果構成部品のみを含むもの
088
構成部品が絶縁ゲートを有する電界効果トランジスタであるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
108
ダイナミックランダムアクセスメモリ構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
222
スタジオ回路;スタジオ装置;スタジオ機器
225
テレビジョンカメラ
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374
アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
[IPC code unknown for H04N 19/136][IPC code unknown for H04N 19/176][IPC code unknown for H04N 19/90]
出願人:
株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県厚木市長谷398 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036, JP
発明者:
池田隆之 IKEDA, Takayuki; JP
優先権情報:
2017-07798711.04.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, IMAGING DEVICE, AND DISPLAY SYSTEM
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF D'IMAGERIE ET SYSTÈME D'AFFICHAGE
(JA) 半導体装置、撮像装置及び表示システム
要約:
(EN) Provided is a new semiconductor device. The semiconductor device has a function for compacting data using artificial intelligence. More specifically, the semiconductor device has an artificial neural network, and has a function for classifying image data and compacting image data that corresponds to the result of classification by inference (cognition) by the artificial neural network. Thus, as the image data can be effectively compacted in accordance with the attribute thereof, it is possible to compact image data at a high compression rate with minor degradation, making it possible to improve the precision of the semiconductor device.
(FR) L'invention concerne un nouveau dispositif à semi-conducteur. Le dispositif à semi-conducteur a une fonction de compactage de données utilisant l'intelligence artificielle. Plus spécifiquement, le dispositif à semi-conducteur comporte un réseau neuronal artificiel et a une fonction de classification de données d'image et de compactage de données d'image qui correspond au résultat de la classification par inférence (cognition) effectuée par le réseau neuronal artificiel. Ainsi, étant donné que les données d'image peuvent être efficacement compactées conformément à l'attribut de celles-ci, il est possible de compacter des données d'image à un taux de compression élevé avec une dégradation mineure, ce qui permet d'améliorer la précision du dispositif à semi-conducteur.
(JA) 要約書 新規な半導体装置の提供。 半導体装置が、 人工知能を利用してデータを圧縮する機能を有する。 具体的には、 半導体装置は人工 ニューラルネットワークを有し、画像データの分類と、当該分類の結果に応じた画像データの圧縮を、 人工ニューラルネットワークによる推論 (認知) によって行う機能を有する。 これにより、 画像デー タの属性に応じて効果的な圧縮を行うことができるため、 劣化が少なく、 かつ高い圧縮率で画像デー タを圧縮することが可能となり、半導体装置の正確性を向上させることができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)