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1. (WO2018186320) マスクブランク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
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国際公開番号: WO/2018/186320 国際出願番号: PCT/JP2018/014039
国際公開日: 11.10.2018 国際出願日: 02.04.2018
IPC:
G03F 1/80 (2012.01) ,G03F 1/00 (2012.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
[IPC code unknown for G03F 1/80][IPC code unknown for G03F 1][IPC code unknown for H01L 21/3065]
出願人:
HOYA株式会社 HOYA CORPORATION [JP/JP]; 東京都新宿区西新宿六丁目10番1号 6-10-1 Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1608347, JP
発明者:
大久保 亮 OHKUBO, Ryo; JP
宍戸 博明 SHISHIDO, Hiroaki; JP
打田 崇 UCHIDA, Takashi; JP
代理人:
池田 憲保 IKEDA, Noriyasu; JP
佐々木 敬 SASAKI, Takashi; JP
優先権情報:
2017-07720008.04.2017JP
発明の名称: (EN) MASK BLANK, METHOD FOR PRODUCING TRANSFER MASK, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) ÉBAUCHE DE MASQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MASQUE DE TRANSFERT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) マスクブランク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
要約:
(EN) In the present invention, an etching stopper film (2), a light-blocking film (3) comprising a material containing one or more elements selected from among silicon and tantalum, and a hard mask film (4) are laminated in that order on a translucent substrate (1). The etching stopper film is made of a material containing chromium, oxygen and carbon, the chromium content is 50 atom% or more, the maximum peak in a N1s narrow spectrum obtained by means of analysis using X-Ray photoelectron spectroscopy is below the detection limit, and a Cr2p narrow spectrum obtained by means of analysis using X-Ray photoelectron spectroscopy has a maximum peak at a bond energy of 574 eV or less.
(FR) Dans la présente invention, un film d'arrêt de gravure (2), un film de blocage de lumière (3) comprenant un matériau contenant un ou plusieurs éléments choisis parmi le silicium et le tantale, et un film de masque dur (4) sont stratifiés dans cet ordre sur un substrat translucide (1). Le film d'arrêt de gravure est constitué d'un matériau contenant du chrome, de l'oxygène et du carbone, la teneur en chrome est égale ou supérieure à 50 % atomique, le pic maximal dans un spectre étroit N1s obtenu au moyen d'une analyse par spectroscopie de photoélectrons induits par rayonnement X est au-dessous de la limite de détection, et un spectre étroit Cr2p obtenu au moyen d'une analyse par spectroscopie de photoélectrons induits par rayonnement X présente un pic maximal à une énergie de liaison inférieure ou égale à 574 eV.
(JA) 透光性基板(1)上に、エッチングストッパー膜(2)、ケイ素及びタンタルから選ばれる1以上の元素を含有する材料からなる遮光膜(3)、ハードマスク膜(4)がこの順に積層されている。上記エッチングストッパー膜は、クロム、酸素及び炭素を含有する材料からなり、クロム含有量が50原子%以上であり、X線光電子分光法で分析して得られるN1sのナロースペクトルの最大ピークが検出下限値以下であり、X線光電子分光法で分析して得られるCr2pのナロースペクトルが574eV以下の結合エネルギーで最大ピークを有する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)