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1. (WO2018186309) TFT基板、TFT基板を備えた走査アンテナ、およびTFT基板の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/186309 国際出願番号: PCT/JP2018/013882
国際公開日: 11.10.2018 国際出願日: 30.03.2018
IPC:
H01L 29/786 (2006.01) ,H01Q 3/34 (2006.01) ,H01Q 3/44 (2006.01) ,H01Q 13/22 (2006.01) ,H01Q 21/06 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
Q
空中線
3
空中線または空中線系から放射される電波の指向特性の方向または形を変えるための構成
26
2つ以上の輻射素子の間の励振電力の相対的な位相または振幅を変えるもの;放射開口に加えるエネルギの分布を変えるもの
30
位相を変えるもの
34
電気的な手段によるもの
H 電気
01
基本的電気素子
Q
空中線
3
空中線または空中線系から放射される電波の指向特性の方向または形を変えるための構成
44
輻射器と組み合わされた反射,屈折または回折するための装置の電気的または磁気的な特性を変えるもの
H 電気
01
基本的電気素子
Q
空中線
13
導波管ホーンまたは開口;スロット空中線;漏洩導波管空中線;伝送路に沿って放射を起こす等価構成
20
非共振漏洩導波管または伝送線路空中線;伝送路に沿って放射を起す等価構成
22
導波管や伝送線路の境界壁に軸方向に設けたスロット
H 電気
01
基本的電気素子
Q
空中線
21
空中線配列または系
06
同一方向に偏波された間隔を置いて配置された個々に励振された空中線単位の配列
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
発明者:
美崎 克紀 MISAKI Katsunori; --
代理人:
奥田 誠司 OKUDA Seiji; JP
優先権情報:
2017-07708007.04.2017JP
発明の名称: (EN) TFT SUBSTRATE, SCANNING ANTENNA PROVIDED WITH TFT SUBSTRATE, AND METHOD FOR PRODUCING TFT SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT TFT, ANTENNE À BALAYAGE COMPRENANT UN SUBSTRAT TFT, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT TFT
(JA) TFT基板、TFT基板を備えた走査アンテナ、およびTFT基板の製造方法
要約:
(EN) This TFT substrate (105A) is provided with: a transmission/reception area (R1) including a plurality of antenna unit areas (U); and a non-transmission/reception area (R2) positioned in an area other than the transmission/reception area. Each of the plurality of antenna unit areas is provided with: a TFT (10); and a patch electrode (3PE) which is electrically connected to a drain electrode (7D) of the TFT. The TFT substrate is provided with: a source metal layer (7) including source electrodes (7S) of the TFTs, the drain electrodes, and source bus lines (SL); a gate metal layer (3) which is formed on the source metal layer, and includes gate electrodes (3G) of the TFTs, gate bus lines (GL), and the patch electrodes; a gate insulation layer (4) which is formed between the source metal layer and the gate metal layer; and a conductive layer (19) which is formed on the gate metal layer. An insulation layer is not provided between the gate metal layer and the conductive layer.
(FR) La présente invention concerne un substrat de transistor à couches minces (105A) comprenant une zone d'émission/réception (R1) comprenant une pluralité de zones d'unités d'antenne (U), et une zone de non-émission/réception (R2) positionnée dans une zone autre que la zone d'émission/réception. Chaque zone de la pluralité de zones d'unité d'antenne comprend un transistor à couches minces (10) et une électrode patch (3PE) connectée électriquement à une électrode de drain (7D) du transistor à couches minces. Le substrat TFT comprend : une couche métallique de source (7) comprenant des électrodes de source (7S) des TFT, des électrodes de drain et des lignes de bus de source (SL); une couche métallique de grille (3) qui est formée sur la couche métallique de source, et comprend des électrodes de grille (3G) des TFT, des lignes de bus de grille (GL) et les électrodes patch; une couche d'isolation de grille (4) qui est formée entre la couche métallique de source et la couche métallique de grille; et une couche conductrice (19) qui est formée sur la couche métallique de grille. Une couche d'isolation n'est pas disposée entre la couche métallique de grille et la couche conductrice.
(JA) TFT基板(105A)は、複数のアンテナ単位領域(U)を含む送受信領域(R1)と、送受信領域以外の領域に位置する非送受信領域(R2)とを備える。複数のアンテナ単位領域のそれぞれは、TFT(10)と、TFTのドレイン電極(7D)に電気的に接続されたパッチ電極(3PE)とを有する。TFT基板は、TFTのソース電極(7S)、ドレイン電極、およびソースバスライン(SL)を含むソースメタル層(7)と、ソースメタル層上に形成され、TFTのゲート電極(3G)、ゲートバスライン(GL)およびパッチ電極を含むゲートメタル層(3)と、ソースメタル層とゲートメタル層との間に形成されたゲート絶縁層(4)と、ゲートメタル層上に形成された導電層(19)とを有し、ゲートメタル層と導電層との間に絶縁層を有しない。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)