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1. (WO2018186192) 固体撮像装置、及び電子機器
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国際公開番号: WO/2018/186192 国際出願番号: PCT/JP2018/011565
国際公開日: 11.10.2018 国際出願日: 23.03.2018
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01) ,H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205
絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71
グループ21/70で限定された装置の特定部品の製造
768
装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
52
動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522
半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
065
装置がグループ27/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
出願人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者:
庄子 礼二郎 SHOHJI, Reijiroh; JP
羽根田 雅希 HANEDA, Masaki; JP
堀越 浩 HORIKOSHI, Hiroshi; JP
石田 実 ISHIDA, Minoru; JP
亀嶋 隆季 KAMESHIMA, Takatoshi; JP
三橋 生枝 MITSUHASHI, Ikue; JP
橋口 日出登 HASHIGUCHI, Hideto; JP
飯島 匡 IIJIMA, Tadashi; JP
代理人:
特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE; JP
優先権情報:
2017-07480704.04.2017JP
2017-13038403.07.2017JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING APPARATUS AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) APPAREIL D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置、及び電子機器
要約:
(EN) [Problem] To further enhance the performance of a solid-state imaging apparatus. [Solution] The present invention provides a solid-state imaging apparatus configured by laminating, in the following order: a first substrate having a first semiconductor substrate, in which a pixel part with pixels arranged is formed, and a first multi-layered wiring layer laminated on the first semiconductor substrate; a second substrate having a second semiconductor substrate, in which a circuit having a predetermined function is formed, and a second multi-layered wiring layer laminated on the second semiconductor substrate; and a third substrate having a third semiconductor substrate, in which a circuit having a predetermined function is formed, and a third multi-layered wiring layer laminated on the third semiconductor substrate, wherein the first substrate and the second substrate are adhered to each other so that the first multi-layered wiring layer and the second multi-layered wiring layer face each other, a first connection structure for electrically connecting the first substrate and the second substrate is present on an adhesion surface between the first substrate and the second substrate, and an electrode bonding structure is provided in which electrodes formed on the adhesion surface are bonded while directly contacting each other.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est d'améliorer davantage la performance d'un appareil d'imagerie à semi-conducteur. La solution selon l'invention concerne un appareil d'imagerie à semi-conducteur configuré par stratification, dans l'ordre suivant : un premier substrat ayant un premier substrat semi-conducteur, dans lequel une partie de pixel avec des pixels agencés est formé, et une première couche de câblage multicouche stratifiée sur le premier substrat semi-conducteur; un second substrat ayant un second substrat semi-conducteur, dans lequel un circuit ayant une fonction prédéterminée est formé, et une seconde couche de câblage multicouche stratifiée sur le second substrat semi-conducteur; et un troisième substrat ayant un troisième substrat semi-conducteur, dans lequel un circuit ayant une fonction prédéterminée est formé, et une troisième couche de câblage multicouche stratifiée sur le troisième substrat semi-conducteur, le premier substrat et le second substrat étant collés l'un à l'autre de telle sorte que la première couche de câblage multicouche et la seconde couche de câblage multicouche se font face, une première structure de connexion pour connecter électriquement le premier substrat et le second substrat est présente sur une surface d'adhérence entre le premier substrat et le second substrat, et une structure de liaison d'électrode dans laquelle des électrodes formées sur la surface d'adhérence sont liées tout en étant directement en contact les unes aux autres.
(JA) 【課題】固体撮像装置の性能をより向上させる。 【解決手段】画素が配列された画素部が形成された第1半導体基板と、前記第1半導体基板上に積層された第1多層配線層と、を有する第1基板と、所定の機能を有する回路が形成された第2半導体基板と、前記第2半導体基板上に積層された第2多層配線層と、を有する第2基板と、所定の機能を有する回路が形成された第3半導体基板と、前記第3半導体基板上に積層された第3多層配線層と、を有する第3基板と、がこの順に積層されて構成され、前記第1基板と前記第2基板とは、前記第1多層配線層と前記第2多層配線層とが対向するように貼り合わされ、前記第1基板と前記第2基板とを電気的に接続するための第1の接続構造は、前記第1基板及び前記第2基板の貼り合わせ面に存在し、前記貼り合わせ面にそれぞれ形成される電極同士が直接接触した状態で接合している電極接合構造、を含む、固体撮像装置を提供する。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)