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1. (WO2018186191) 固体撮像装置、及び電子機器
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国際公開番号: WO/2018/186191 国際出願番号: PCT/JP2018/011564
国際公開日: 11.10.2018 国際出願日: 23.03.2018
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01) ,H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205
絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71
グループ21/70で限定された装置の特定部品の製造
768
装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
52
動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522
半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
065
装置がグループ27/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
出願人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者:
堀越 浩 HORIKOSHI, Hiroshi; JP
石田 実 ISHIDA, Minoru; JP
庄子 礼二郎 SHOHJI, Reijiroh; JP
飯島 匡 IIJIMA, Tadashi; JP
亀嶋 隆季 KAMESHIMA, Takatoshi; JP
橋口 日出登 HASHIGUCHI, Hideto; JP
三橋 生枝 MITSUHASHI, Ikue; JP
羽根田 雅希 HANEDA, Masaki; JP
代理人:
特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE; JP
優先権情報:
2017-07480304.04.2017JP
2017-15701316.08.2017JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置、及び電子機器
要約:
(EN) [Problem] To provide a solid-state imaging device and an electronic apparatus in which function is further improved. [Solution] A solid-state imaging device constituted by laminating, in the stated order: a first substrate in which a pixel section is formed in which pixels are arranged, a first semiconductor substrate and a first multilayer wiring layer being laminated in the first substrate; a second substrate in which a circuit having a prescribed function is formed, a second semiconductor substrate and a second multilayer wiring layer being laminated in the second substrate; and a third substrate in which a circuit is formed having a prescribed function, a third semiconductor substrate and a third multilayer wiring layer being laminated in the third substrate. The solid-state imaging device has a first connection structure in which the first substrate and the second substrate are affixed such that the first multilayer wiring layer and the second semiconductor substrate are facing each other, the circuit of the first substrate and the circuit of the second substrate being electrically connected, and the first connection structure includes a via that electrically connects, by one through hole provided from the back-surface side of the first substrate through at least the first substrate, prescribed wiring within the first multilayer wiring layer with prescribed wiring within the second or third multilayer wiring layer.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir un dispositif d'imagerie à semi-conducteur et un appareil électronique dans lequel une fonction est en outre améliorée. La solution selon l'invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteur constitué par stratification, dans l'ordre indiqué : un premier substrat dans lequel une section de pixel est formée dans laquelle des pixels sont agencés, un premier substrat semi-conducteur et une première couche de câblage multicouche étant stratifiés dans le premier substrat; un second substrat dans lequel un circuit ayant une fonction prescrite est formé, un second substrat semi-conducteur et une seconde couche de câblage multicouche étant stratifiés dans le second substrat; et un troisième substrat dans lequel un circuit est formé ayant une fonction prescrite, un troisième substrat semi-conducteur et une troisième couche de câblage multicouche étant stratifiés dans le troisième substrat. Le dispositif d'imagerie à semi-conducteur a une première structure de connexion dans laquelle le premier substrat et le second substrat sont fixés de telle sorte que la première couche de câblage multicouche et le second substrat semi-conducteur se font face, le circuit du premier substrat et le circuit du second substrat étant connectés électriquement, et la première structure de connexion comprend un trou d'interconnexion qui connecte électriquement, par un trou traversant disposé à partir du côté de surface arrière du premier substrat à travers au moins le premier substrat, un câblage prescrit à l'intérieur de la première couche de câblage multicouche avec un câblage prescrit à l'intérieur de la seconde ou de la troisième couche de câblage multicouche.
(JA) 【課題】性能がより向上した固体撮像装置及び電子機器を提供する。 【解決手段】画素が配列された画素部が形成され、第1半導体基板及び第1多層配線層が積層された第1基板と、所定の機能を有する回路が形成され、第2半導体基板及び第2多層配線層が積層された第2基板と、所定の機能を有する回路が形成され、第3半導体基板及び第3多層配線層が積層された第3基板と、がこの順に積層されて構成され、前記第1基板と前記第2基板とは、前記第1多層配線層と前記第2半導体基板とが対向して貼り合わされ、前記第1基板の回路と前記第2基板の回路とを電気的に接続する第1の接続構造を有し、前記第1の接続構造は、前記第1基板の裏面側から少なくとも前記第1基板を貫通して設けられた1つの貫通孔によって前記第1多層配線層内の所定の配線と、前記第2又は第3多層配線層内の所定の配線と、を電気的に接続するビア、を含む、固体撮像装置。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)