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1. (WO2018186150) 熱遮蔽部材、単結晶引き上げ装置および単結晶シリコンインゴットの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/186150 国際出願番号: PCT/JP2018/010519
国際公開日: 11.10.2018 国際出願日: 16.03.2018
IPC:
C30B 29/06 (2006.01) ,C30B 15/00 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
02
元素
06
シリコン
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
15
融液からの引出しによる単結晶成長,例.チョクラルスキー法
出願人:
株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目2番1号 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo 1058634, JP
発明者:
梶原 薫 KAJIWARA Kaoru; JP
末若 良太 SUEWAKA Ryota; JP
倉垣 俊二 KURAGAKI Shunji; JP
田邉 一美 TANABE Kazumi; JP
代理人:
杉村 憲司 SUGIMURA Kenji; JP
優先権情報:
2017-07553405.04.2017JP
発明の名称: (EN) HEAT-BLOCKING MEMBER, SINGLE-CRYSTAL-PULLING DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL SILICON INGOT
(FR) ÉLÉMENT DE BLOCAGE DE CHALEUR, DISPOSITIF DE TIRAGE DE MONOCRISTAL, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D’UN LINGOT DE SILICIUM MONOCRISTALLIN
(JA) 熱遮蔽部材、単結晶引き上げ装置および単結晶シリコンインゴットの製造方法
要約:
(EN) Proposed are a heat-blocking member with which it is possible to enlarge the pulling speed margin of a crystal in which defect-free single crystal silicon is obtained, a single-crystal-pulling device, and a method for producing a single crystal silicon ingot in which the single-crystal-pulling device is used. A heat-blocking member 1 provided to a monocrystal-pulling-up device that pulls a monocrystal silicon ingot I up from a silicon melt retained in a quartz crucible and heated by a heater disposed around the quartz crucible, wherein the heat-blocking member 1 is characterized in that: the heat-blocking member 1 comprises a cylindrical cylinder part 2 that surrounds the outer circumferential surface of the monocrystal silicon ingot, and an annular expanded part 3 at the lower part of the cylinder part 2; the expanded part 3 has an upper wall 3a, a bottom wall 3b, and two vertical walls 3c, 3d; an annular heat-insulating member H is provided in a space surrounded by the walls; and a void is provided between the heat-insulating member H and the vertical wall 3c on the side that comes into contact with the monocrystal silicon ingot I.
(FR) La présente invention concerne un élément de blocage de chaleur grâce auquel il est possible d’élargir la marge de vitesse de traction d’un cristal dans lequel du silicium monocristallin sans défaut est obtenu, un dispositif de tirage de monocristal, et un procédé de production d’un lingot de silicium monocristallin dans lequel le dispositif de tirage de monocristal est utilisé. Un élément de blocage de chaleur 1 est disposé au niveau d’un dispositif de tirage monocristallin qui tire un lingot de silicium monocristallin I à partir d’une masse de silicium retenue dans un creuset en quartz et chauffé par un dispositif chauffant disposé autour du creuset en quartz, où l’élément de blocage de chaleur 1 est caractérisé en ce que : l’élément de blocage de chaleur 1 comprend une partie de cylindre cylindrique 2 qui entoure la surface circonférentielle externe du lingot de silicium monocristallin, et une partie expansée annulaire 3 à la partie inférieure de la partie de cylindre 2 ; la partie expansée 3 présente une paroi supérieure 3a, une paroi inférieure 3b, et deux parois verticales 3c, 3d ; un élément d’isolation de chaleur annulaire H est prévu dans un espace entouré par les parois ; et un vide est prévu entre l’élément d’isolation de chaleur H et la paroi verticale 3c sur le côté qui entre en contact avec le lingot de silicium monocristallin I.
(JA) 無欠陥の単結晶シリコンが得られる結晶の引き上げ速度のマージンを拡大することができる熱遮蔽部材、単結晶引き上げ装置および該単結晶引き上げ装置を用いた単結晶シリコンインゴットの製造方法を提案する。石英るつぼの周囲に配置されたヒータにより加熱されて石英るつぼに貯留されたシリコン融液から単結晶シリコンインゴットIを引き上げる単結晶引き上げ装置に設けられる熱遮蔽部材1であって、該熱遮蔽部材1は、単結晶シリコンインゴットの外周面を包囲する円筒状の筒部2と、筒部2の下部にて環状の膨出部3とを備え、膨出部2は、上壁3aと底壁3bと2つの縦壁3c、3dとを有し、それらの壁によって囲まれた空間に環状の断熱材Hを有し、単結晶シリコンインゴットIに隣接する側の縦壁3cと断熱材Hとの間に空隙を有することを特徴とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)