このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018186131) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/186131 国際出願番号: PCT/JP2018/009849
国際公開日: 11.10.2018 国際出願日: 14.03.2018
IPC:
H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01) ,H01L 23/532 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205
絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71
グループ21/70で限定された装置の特定部品の製造
768
装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
52
動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522
半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
52
動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522
半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
532
材料に特徴のあるもの
出願人:
株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP/JP]; 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 1-1, Showa-cho, Kariya-city Aichi 4488661, JP
発明者:
大島 正範 OOSHIMA Masanori; JP
林 英二 HAYASHI Eiji; JP
代理人:
金 順姫 JIN Shunji; JP
優先権情報:
2017-07608606.04.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約:
(EN) Provided is a semiconductor device that comprises: a semiconductor substrate (120) that has a front surface (120a) and a rear surface (120b) opposing the front surface in a plate thickness direction, and that includes an element formed thereon; a front surface electrode (121) soldered onto the front surface of the semiconductor substrate; a protective film (125) formed using a hygroscopic material; and a rear surface electrode (130) provided on the rear surface of the semiconductor substrate. The protective film includes: a peripheral section (126) provided so as to surround the front surface electrode on the front surface of the semiconductor substrate; a first separation section (127) extending in the row direction orthogonal to the plate thickness direction in a region surrounded by the peripheral section and dividing the front surface electrode in the column direction orthogonal to the plate thickness direction and row direction; and a second separation section (128) extending in the column direction in the region and dividing the front surface electrode in the row direction. The first separation section and the second separation section are provided in a separated manner from each other so as to avoid intersection.
(FR) L'invention concerne un dispositif semi-conducteur qui comprend : un substrat en semi-conducteur (120) qui possède une surface avant (120a) et une surface arrière (120b) opposée à la surface avant dans une direction d'épaisseur de plaque, et sur lequel est formé un élément ; une électrode de surface avant (121) soudée sur la surface avant du substrat en semi-conducteur ; un film protecteur (125) formé en utilisant un matériau hygroscopique ; et une électrode de surface arrière (130) disposée sur la surface arrière du substrat en semi-conducteur. Le film protecteur comprend : une section périphérique (126) disposée de façon à entourer l'électrode de surface avant sur la surface avant du substrat en semi-conducteur ; une première section de séparation (127) qui s'étend dans le sens des lignes, orthogonal au sens de l'épaisseur de la plaque dans une région entourée par la section périphérique, et qui divise l'électrode de surface avant dans le sens des colonnes, orthogonal au sens de l'épaisseur de plaque et au sens des lignes ; et une deuxième section de séparation (128) qui s'étend dans le sens des colonnes dans la région et qui divise l'électrode de surface avant dans le sens des lignes. La première section de séparation et la deuxième section de séparation sont disposées de manière séparée l'une de l'autre de façon à éviter une intersection.
(JA) 半導体装置は、表面(120a)及び該表面と板厚方向に反対の裏面(120b)を有し、素子が形成された半導体基板(120)と、半導体基板の表面上にはんだ付けされる表面電極(121)と、吸湿性材料を用いて形成された保護膜(125)と、半導体基板の裏面に設けられた裏面電極(130)とを備える。保護膜は、半導体基板の表面上において表面電極を取り囲むように設けられた周囲部(126)と、周囲部により囲まれる領域内において板厚方向に直交する行方向に延設され、板厚方向及び行方向に直交する列方向において表面電極を区切る第1分離部(127)と、領域内において列方向に延設され、行方向において表面電極を区切る第2分離部(128)と、を有し、第1分離部及び第2分離部が、交差しないように互いに離れて設けられている。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)