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1. (WO2018185997) 半導体パッケージ及び半導体デバイス
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国際公開番号: WO/2018/185997 国際出願番号: PCT/JP2018/001707
国際公開日: 11.10.2018 国際出願日: 22.01.2018
IPC:
H01L 23/02 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
02
容器,封止
出願人:
日本電気硝子株式会社 NIPPON ELECTRIC GLASS CO., LTD. [JP/JP]; 滋賀県大津市晴嵐二丁目7番1号 7-1, Seiran 2-chome, Otsu-shi, Shiga 5208639, JP
発明者:
廣瀬 将行 HIROSE, Masayuki; JP
代理人:
特許業務法人 宮▲崎▼・目次特許事務所 MIYAZAKI & METSUGI; 大阪府大阪市中央区常盤町1丁目3番8号 中央大通FNビル Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028, JP
優先権情報:
2017-07373703.04.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR PACKAGE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体パッケージ及び半導体デバイス
要約:
(EN) Provided is a semiconductor package in which soft errors of a semiconductor element due to the ionizing action of α rays are less likely to occur. A semiconductor package 1 for mounting and sealing a semiconductor element 7, wherein the semiconductor package 1 is characterized by being provided with: a container 2 having a bottom part 3 on which the semiconductor element 7 is mounted and frame-shaped side wall parts 4 disposed on the bottom part 3; a glass lid 5 disposed above the side wall parts 4 of the container 2, the glass lid 5 sealing the interior of the container 2; and a sealing material layer 6 disposed between the glass lid 5 and the side wall parts 4 of the container 2, the side wall parts 4 being provided so that a part of the side wall parts 4 is present between the semiconductor element 7-side upper end part 6a of the sealing material layer 6 and the outer peripheral edge 7b of the upper surface 7a of the semiconductor element 7.
(FR) L'invention concerne un boîtier de semi-conducteur dans lequel des erreurs passagères d'un élément semi-conducteur dues à l'action ionisante de rayons α sont moins susceptibles de survenir. Un boîtier 1 de semi-conducteur selon l'invention sert à monter et à sceller un élément semi-conducteur 7, le boîtier 1 de semi-conducteur étant caractérisé en ce qu'il comporte: un récipient 2 doté d'une partie 3 de fond sur laquelle l'élément semi-conducteur 7 est monté et des parties 4 de parois latérales en forme de cadre disposées sur la partie 3 de fond; un couvercle 5 en verre disposé au-dessus des parties 4 de parois latérales du récipient 2, le couvercle 5 en verre scellant l'intérieur du récipient 2; et une couche 6 de matériau d'étanchéité disposée entre le couvercle 5 en verre et les parties 4 de parois latérales du récipient 2, les parties 4 de parois latérales étant placées de telle façon qu'une portion des parties 4 de parois latérales soit présente entre la partie 6a d'extrémité supérieure côté élément semi-conducteur 7 de la couche 6 de matériau d'étanchéité et le bord périphérique extérieur 7b de la surface supérieure 7a de l'élément semi-conducteur 7.
(JA) α線の電離作用による半導体素子のソフトエラーが生じ難い、半導体パッケージを提供する。 半導体素子7を搭載して封止するための半導体パッケージ1であって、半導体素子7が搭載される底部3と該底部3上に配置された枠状の側壁部4とを有する、容器2と、容器2の側壁部4の上方に配置されており、容器2内を封止するためのガラス蓋5と、容器2の側壁部4とガラス蓋5との間に配置されている、封着材料層6と、を備え、封着材料層6の半導体素子7側の上端部6aと半導体素子7の上面7aにおける外周縁7bとの間に、側壁部4の一部が存在するように側壁部4が設けられていることを特徴としている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)