このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018185987) イオン源及びイオン注入装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/185987 国際出願番号: PCT/JP2017/046987
国際公開日: 11.10.2018 国際出願日: 27.12.2017
IPC:
H01J 27/02 (2006.01) ,H01J 37/08 (2006.01) ,H01J 37/317 (2006.01) ,H01L 21/265 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
J
電子管または放電ランプ
27
イオンビーム管
02
イオン源;イオン銃
H 電気
01
基本的電気素子
J
電子管または放電ランプ
37
放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの
02
細部
04
電極装置および放電を発生しまたは制御するための関連部品,例.電子光学装置,イオン光学装置
08
イオン源;イオン銃
H 電気
01
基本的電気素子
J
電子管または放電ランプ
37
放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの
30
物体の局所的な処理のための電子ビームまたはイオンビーム管
317
物体の特性をかえるためのものまたはその上に薄層を形成するためのもの,例.イオン注入
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26
波または粒子の輻射線の照射
263
高エネルギーの輻射線を有するもの
265
イオン注入法
出願人:
株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP/JP]; 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP
発明者:
湯瀬 琢巳 YUZE Takumi; JP
寺澤 寿浩 TERASAWA Toshihiro; JP
佐々木 徳康 SASAKI Naruyasu; JP
代理人:
阿部 英樹 ABE Hideki; JP
石島 茂男 ISHIJIMA Shigeo; JP
優先権情報:
2017-07583806.04.2017JP
発明の名称: (EN) ION SOURCE AND ION IMPLANTER
(FR) SOURCE D'IONS ET IMPLANTEUR D'IONS
(JA) イオン源及びイオン注入装置
要約:
(EN) The present invention provides a technique for reducing the amount of an intermediate product adhering to a supply-side front end part and the inner wall surface of a gas supply pipe as much as possible, said intermediate product being produced during the generation of ions by means of a reaction of an ionizing gas and an ion starting material within an ion generation container of an ion source. An ion source according to the present invention is provided with an ion generation container (11) in which ions are generated by reacting an ionizing gas that is introduced into the container via a tubular gas introduction pipe (13) and an ion starting material that is released within the container. The gas introduction pipe (13) is configured so that the ionizing gas is introduced into an internal space (13b) of the gas introduction pipe (13) by means of a gas supply pipe (14). The internal space (13b) of the gas introduction pipe (13) is provided with a detachable cooling/trapping member (30) which has a cooling/trapping unit (33) that cools and traps an intermediate product produced within the ion generation container (11). The cooling/trapping unit (33) is arranged so as not to be in contact with the inner wall surface of the gas introduction pipe (13) in the vicinity of a supply-side front end part (14a) of the gas supply pipe (14) in the internal space (13b) of the gas introduction pipe (13).
(FR) La présente invention concerne une technique destinée à réduire autant que possible la quantité d'un produit intermédiaire adhérant à une partie frontale côté alimentation et la surface de paroi intérieure d'un tuyau d'alimentation en gaz, ledit produit intermédiaire étant produit pendant la génération d'ions au moyen de la réaction d'un gaz ionisant et d'un matériau de départ ionique à l'intérieur d'un récipient de génération d'ions d'une source d'ions. Une source d'ions selon la présente invention comporte un récipient (11) de génération d'ions dans lequel des ions sont générés en faisant réagir un gaz ionisant qui est introduit dans le récipient via un tuyau tubulaire (13) d'introduction de gaz et un matériau de départ ionique qui est libéré à l'intérieur du récipient. Le tuyau (13) d'introduction de gaz est configuré de telle façon que le gaz ionisant soit introduit dans un espace interne (13b) du tuyau (13) d'introduction de gaz au moyen d'un tuyau (14) d'alimentation en gaz. L'espace interne (13b) du tuyau (13) d'introduction de gaz est muni d'un élément détachable (30) de refroidissement/piégeage doté d'une unité (33) de refroidissement/piégeage qui refroidit et piège un produit intermédiaire produit à l'intérieur du récipient (11) de génération d'ions. L'unité (33) de refroidissement/piégeage est agencée de façon à ne pas être en contact avec la surface de paroi intérieure du tuyau (13) d'introduction de gaz au voisinage d'une partie frontale (14a) côté alimentation du tuyau (14) d'alimentation en gaz dans l'espace interne (13b) du tuyau (13) d'introduction de gaz.
(JA) 本発明は、イオン源のイオン生成容器内においてイオン化ガスとイオン原料を反応させてイオンを生成する際に発生した中間生成物がガス供給管の供給側先端部及び内壁面に付着する量を極力減少させる技術を提供する。本発明のイオン源は、筒状のガス導入管(13)を介して容器内に導入されたイオン化ガスと、容器内に放出されたイオン原料を反応させてイオンを生成するイオン生成容器(11)を有する。ガス導入管(13)は、ガス供給管(14)によってガス導入管(13)の内部空間(13b)にイオン化ガスを導入するように構成される。ガス導入管(13)の内部空間(13b)に、イオン生成容器(11)内で発生した中間生成物を冷却して捕捉する冷却捕捉部(33)を有する着脱自在の冷却捕捉部材(30)が設けられている。冷却捕捉部(33は、ガス導入管(13)の内部空間(13b)のガス供給管(14)の供給側先端部(14a)の近傍で、ガス導入管(13)の内壁面に接触しないように配置されている。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)