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1. (WO2018185974) 半導体装置およびその製造方法、ならびに電力変換装置
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国際公開番号: WO/2018/185974 国際出願番号: PCT/JP2017/043784
国際公開日: 11.10.2018 国際出願日: 06.12.2017
IPC:
H01L 23/28 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H02M 7/48 (2007.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
H 電気
02
電力の発電,変換,配電
M
交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
7
交流入力一直流出力変換;直流入力―交流出力変換
42
直流入力―交流出力変換であって非可逆的なもの
44
静止型変換器によるもの
48
制御電極をもつ放電管または制御電極をもつ半導体装置を用いるもの
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
梶 勇輔 KAJI, Yusuke; JP
六分一 穂隆 ROKUBUICHI, Hodaka; JP
近藤 聡 KONDO, Satoshi; JP
代理人:
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島三丁目2番4号 中之島フェスティバルタワー・ウエスト Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報:
2017-07601406.04.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND POWER CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) 半導体装置およびその製造方法、ならびに電力変換装置
要約:
(EN) Provided are: a semiconductor device with which a residue of very small air bubbles generated during a resin injection step is suppressed, and it is possible to easily achieve the flow of sealing material into regions to be sealed with resin; a method for manufacturing the semiconductor device, and a power conversion device having such a semiconductor device. A semiconductor device (101) comprises an insulating substrate (2), a semiconductor element (4), a conductor substrate (3P), and a case material (1). The semiconductor element (4) is connected above the insulating substrate (2), and the conductor substrate (3P) is connected above the semiconductor element (4). The case material (1) encloses so as to surround the region in which the insulating substrate (2), the semiconductor element (4), and the conductor substrate (3P) overlap in plan view. A plurality of metal patterns (2P) are disposed on the main surface of an insulating layer (2D). A groove (2G) is formed between a pair of adjacent metal patterns (2P) among the plurality of metal patterns (2P). A through hole (7) is formed in a position on the conductor substrate (3P) overlapping with the groove (2G) in plan view.
(FR) L'invention concerne : un dispositif à semi-conducteur avec lequel un résidu de très petites bulles d'air générées pendant une étape d'injection de résine est supprimé, et il est possible d'obtenir facilement l'écoulement de matériau d'étanchéité dans des régions devant être scellées avec de la résine; un procédé de fabrication du dispositif à semi-conducteur, et un dispositif de conversion de puissance ayant un tel dispositif à semi-conducteur. Un dispositif à semi-conducteur (101) comprend un substrat isolant (2), un élément semi-conducteur (4), un substrat conducteur (3P), et un matériau de boîtier (1). L'élément semi-conducteur (4) est connecté au-dessus du substrat isolant (2), et le substrat conducteur (3P) est connecté au-dessus de l'élément semi-conducteur (4). Le matériau de boîtier (1) renferme de manière à entourer la région dans laquelle le substrat isolant (2), l'élément semi-conducteur (4) et le substrat conducteur (3P) se chevauchent dans une vue en plan. Une pluralité de motifs métalliques (2P) sont disposés sur la surface principale d'une couche d'isolation (2D). Une rainure (2G) est formée entre une paire de motifs métalliques adjacents (2P) parmi la pluralité de motifs métalliques (2P). Un trou traversant (7) est formé dans une position sur le substrat conducteur (3P) chevauchant la rainure (2G) dans une vue en plan.
(JA) 樹脂注入工程で発生する微小気泡の残留を抑制し、かつ樹脂で封止したい領域への封止材の流入を容易にすることが可能な半導体装置およびその製造方法、ならびにそのような半導体装置を有する電力変換装置を提供する。半導体装置(101)は、絶縁基板(2)と、半導体素子(4)と、導体基板(3P)と、ケース材(1)とを備える。半導体素子(4)は絶縁基板(2)の上方に接続され、導体基板(3P)は半導体素子(4)の上方に接続される。ケース材(1)は絶縁基板(2)、半導体素子(4)および導体基板(3P)と平面視において重なる領域を避けるように取り囲む。絶縁層(2D)の主表面には複数の金属パターン(2P)が配置される。複数の金属パターン(2P)のうち隣り合う1対の金属パターン(2P)の間には溝(2G)が形成される。導体基板(3P)には、溝(2G)と平面視において重なる位置に貫通孔(7)が形成されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)