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1. (WO2018185839) 半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2018/185839 国際出願番号: PCT/JP2017/014100
国際公開日: 11.10.2018 国際出願日: 04.04.2017
IPC:
H01L 21/338 (2006.01) ,H01L 29/812 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
338
ショットキーゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
80
PN接合ゲートまたは他の整流接合ゲートによって生じる電界効果を有するもの
812
ショットキーゲートを有するもの
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
前田 和弘 MAEDA, Kazuhiro; JP
日坂 隆行 HISAKA, Takayuki; JP
久留須 整 KURUSU, Hitoshi; JP
代理人:
高田 守 TAKADA, Mamoru; JP
高橋 英樹 TAKAHASHI, Hideki; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約:
(EN) A multi-finger transistor having a plurality of control electrodes (2), a plurality of first electrodes (3), and a plurality of second electrodes (4) is formed on a semiconductor substrate (1). The transistor is covered with resin films (14, 15). First wiring (8) that electrically connects the first electrodes (3) to each other is formed on the resin films (14, 15). Contact portions between the first wiring (8) and the first electrodes (3) are covered with the resin films (14, 15). A hollow structure (16) hermetically sealed by the resin films (14, 15) is formed around the control electrodes (2) and the second electrodes (4).
(FR) L'invention concerne un transistor à plusieurs doigts ayant une pluralité d'électrodes de commande (2), une pluralité de premières électrodes (3), et une pluralité de secondes électrodes (4) est formée sur un substrat semi-conducteur (1). Le transistor est recouvert de films de résine (14, 15). Un premier câblage (8) qui connecte électriquement les premières électrodes (3) les unes aux autres est formé sur les films de résine (14, 15). Des parties de contact entre le premier câblage (8) et les premières électrodes (3) sont recouvertes par les films de résine (14, 15). Une structure creuse (16) scellée hermétiquement par les films de résine (14, 15) est formée autour des électrodes de commande (2) et des secondes électrodes (4).
(JA) 半導体基板(1)の上に、複数の制御電極(2)、複数の第1電極(3)、及び複数の第2電極(4)を有するマルチフィンガーのトランジスタが形成されている。樹脂膜(14,15)がトランジスタを覆っている。複数の第1電極(3)を互いに電気的に接続する第1の配線(8)が樹脂膜(14,15)の上に形成されている。樹脂膜(14,15)は第1の配線(8)と複数の第1電極(3)とのコンタクト部分を覆う。複数の制御電極(2)及び複数の第2電極(4)の周囲において樹脂膜(14,15)で密閉された中空構造(16)が形成されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2018185839