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1. (WO2018185805) スイッチング素子駆動ユニット
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2018/185805 国際出願番号: PCT/JP2017/013909
国際公開日: 11.10.2018 国際出願日: 03.04.2017
IPC:
H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 23/36 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
34
冷却,加熱,換気または温度補償用装置
36
冷却または加熱を容易にするための材料の選択または成形,例.ヒート・シンク
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
早瀬 佳 HAYASE Kei; JP
代理人:
大岩 増雄 OIWA Masuo; JP
竹中 岑生 TAKENAKA Mineo; JP
村上 啓吾 MURAKAMI Keigo; JP
吉澤 憲治 YOSHIZAWA Kenji; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SWITCHING ELEMENT DRIVE UNIT
(FR) UNITÉ D'ATTAQUE D'ÉLÉMENT DE COMMUTATION
(JA) スイッチング素子駆動ユニット
要約:
(EN) Provided is a switching element drive unit with which it is possible, even when a semiconductor switching element configured from a wide-gap semiconductor is used, to reduce the connection distance between a driver and the semiconductor switching element while maintaining insulation between the driver and a cooler. A switching element drive unit (30) provided with: a circuit board (1); a semiconductor switching element (102a) configured from a wide-bandgap semiconductor; a cooler (4); and a driver (103a), the driver (103a) being surface-mounted on a second surface (32) on the opposite side to a first surface (31), which is the surface of the circuit board (1) on the side at which the cooler (4) is disposed.
(FR) L'invention concerne une unité d'attaque d'élément de commutation à l'aide de laquelle il est possible, même lorsqu'un élément de commutation à semi-conducteur constitué d'un semi-conducteur à large bande interdite est utilisé, de réduire la distance de connexion entre un moyen d'attaque et l'élément de commutation à semi-conducteur tout en maintenant l'isolation entre le moyen d'attaque et un refroidisseur. Une unité (30) d'attaque d'élément de commutation selon l'invention comporte: une carte (1) à circuit; un élément (102a) de commutation à semi-conducteur constitué d'un semi-conducteur à large bande interdite; un refroidisseur (4); et un moyen (103a) d'attaque, ledit moyen (103a) d'attaque étant monté en surface sur une seconde surface (32) du côté opposé à une première surface (31), qui est la surface de la carte (1) à circuit du côté où est disposé le refroidisseur (4).
(JA) ワイドギャップ半導体で構成された半導体スイッチング素子を用いる場合でも、ドライバと冷却器の絶縁を確保しつつ、ドライバと半導体スイッチング素子との接続距離を短くできるスイッチング素子駆動ユニットを提供する。回路基板(1)と、ワイドバンドギャップ半導体で構成された半導体スイッチング素子(102a)と、冷却器(4)と、ドライバ(103a)と、を備え、ドライバ(103a)は、冷却器(4)が配置された側の回路基板(1)の面である第1面(31)とは反対側の第2面(32)に表面実装されているスイッチング素子駆動ユニット(30)。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)