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1. (WO2018181989) カルボニル構造を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物

Pub. No.:    WO/2018/181989    International Application No.:    PCT/JP2018/013879
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Mar 31 01:59:59 CEST 2018
IPC: G03F 7/11
C08G 77/14
C08G 77/22
G03F 7/20
H01L 21/027
Applicants: NISSAN CHEMICAL CORPORATION
日産化学株式会社
Inventors: SHIBAYAMA, Wataru
柴山 亘
TAKEDA, Satoshi
武田 諭
NAKAJIMA, Makoto
中島 誠
Title: カルボニル構造を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物
Abstract:
【課題】 リソグラフィー後のマスク残渣をエッチングなしに薬液だけで除去が可能なレジスト下層膜を形成するための組成物を提供する。 【解決手段】 シリコン含有レジスト下層膜を形成するための組成物であって、該シリコン含有レジスト下層膜は、リソグラフィープロセスでパターンを下層に転写した後に過酸化水素を含む薬液でマスク層の除去を行う工程において、該マスク層として使用される膜であり、前記組成物は、カルボニル基含有官能基を含む単位構造を含むポリシロキサンを含むことを特徴とするシリコン含有レジスト下層膜形成組成物。カルボニル基含有官能基を含む単位構造が、環状酸無水物基、環状ジエステル基、又はジエステル基を含む単位構造である上記の記載のシリコン含有レジスト下層膜形成組成物。ポリシロキサンが、更にアミド基含有有機基を含む単位構造を含む。アミド基が、スルホンアミド基、又はジアリルイソシアヌレート基である。