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1. (WO2018181642) 窒化物及び酸化物の成膜方法並びに成膜装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/181642 国際出願番号: PCT/JP2018/013082
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 29.03.2018
IPC:
H01L 21/203 (2006.01) ,C23C 14/06 (2006.01) ,C23C 14/08 (2006.01) ,C23C 14/28 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
203
物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
08
酸化物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
24
真空蒸着
28
波動エネルギーまたは粒子放射によるもの
出願人: NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION KYOTO INSTITUTE OF TECHNOLOGY[JP/JP]; 1, Matsugasaki Hashikami-cho, Sakyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6068585, JP
発明者: UEDA, Daisuke; JP
FERREYRA, Romualdo Alejandro; JP
代理人: MORIWAKI IP, P.C.; Fifth Hase Building, 637, Suiginya-cho, Karasuma-dori Shijo-sagaru, Shimogyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6008411, JP
優先権情報:
2017-06770630.03.2017JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR FORMING NITRIDE AND OXIDE FILMS, AND APPARATUS FOR SAME
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILMS DE NITRURE ET D'OXYDE, ET APPAREIL ASSOCIÉ
(JA) 窒化物及び酸化物の成膜方法並びに成膜装置
要約:
(EN) [Problem] To provide a method for forming a nitride or oxide film on a surface of a group III-nitride semiconductor such as GaN or the like while reducing defects on the surface of the group III-nitride semiconductor; and an apparatus for same. [Solution] A nitride or oxide film is formed by evaporating a target material through a PLD method and reacting the target material with nitrogen radicals or oxygen radicals, wherein defects due to nitrogen vacancies are suppressed by heating a group III-nitride semiconductor while irradiating nitrogen radicals onto the group III-nitride semiconductor. Also, uniformity in the film thickness of the film to be formed can be improved by splitting a laser beam into a plurality of beams.
(FR) La présente invention aborde le problème de la réalisation d'un procédé de formation d'un film de nitrure ou d'oxyde sur une surface d'un semiconducteur au nitrure du groupe III tel que le GaN ou similaire, tout en réduisant les défauts sur la surface du semiconducteur au nitrure du groupe III ; et un appareil associé. La solution selon l'invention porte sur un film de nitrure ou d'oxyde qui est formé par évaporation d'un matériau cible par le biais d'un procédé PLD et par réaction du matériau cible avec des radicaux d'azote ou des radicaux d'oxygène, les défauts dus aux lacunes d'azote étant supprimés par chauffage d'un semiconducteur au nitrure du groupe III tout en irradiant des radicaux d'azote sur le semiconducteur de nitrure du groupe III. De plus, l'uniformité de l'épaisseur du film à former peut être améliorée en divisant un faisceau laser en une pluralité de faisceaux.
(JA) 【課題】 GaN等のIII族窒化物半導体表面の欠陥を低減しながら、III族窒化物半導体表面に窒化物又は酸化物を成膜する方法及び成膜装置を提供する。 【解決手段】III族窒化物半導体に対して、窒素ラジカルを照射しながら加熱し、窒素空孔による欠陥を抑制し、PLD法によりターゲット材料を蒸発させ、窒素ラジカル又は酸素ラジカルと反応させながら窒化物、酸化物を成膜する。また、レーザ光を複数に分岐することで、形成する膜の膜厚均一性を向上させることができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)