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1. (WO2018181499) 光電変換素子及び光電変換素子の製造方法
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国際公開番号: WO/2018/181499 国際出願番号: PCT/JP2018/012813
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 28.03.2018
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01) ,H01L 21/288 (2006.01) ,H01L 31/0747 (2012.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02
細部
0224
電極
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283
電極用の導電または絶縁材料の析出
288
液体からの析出,例.電解液からの析出
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
06
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
072
電位障壁がPNヘテロ接合型のみからなるもの
0745
AIVBIVヘテロ接合からなる,例.Si/Ge,SiGe/SiまたはSi/SiC太陽電池
0747
結晶材料とアモルファス材料のヘテロ接合からなる,例.薄い真性層を備えたヘテロ接合またはHIT(R)の太陽電池とのヘテロ結合
出願人:
株式会社カネカ KANEKA CORPORATION [JP/JP]; 大阪府大阪市北区中之島2-3-18 2-3-18, Nakanoshima, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308288, JP
発明者:
福田 将典 FUKUDA, Masanori; JP
代理人:
特許業務法人はるか国際特許事務所 HARUKA PATENT & TRADEMARK ATTORNEYS; 東京都千代田区六番町3 六番町SKビル5階 Rokubancho SK Bldg. 5th Floor, 3, Rokubancho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020085, JP
優先権情報:
2017-07232831.03.2017JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT MANUFACTURING METHOD
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 光電変換素子及び光電変換素子の製造方法
要約:
(EN) A photoelectric conversion element manufacturing method of the present disclosure comprises: a step of preparing a semiconductor substrate having an n-type semiconductor portion and a p-type semiconductor portion which configures a diode with the n-type semiconductor portion; a step of forming an n-side base conductive layer in at least a part of the n-type semiconductor portion; a step of forming a p-side base conductive layer in at least a part of the p-type semiconductor portion; and a step of forming a plated layer in at least a part of the n-side base conductive layer and at least a part of the p-side base conductive layer by immersing the n-side base conductive layer and the p-side base conductive layer in a plating solution, and, with the n-side base conductive layer and the p-side base conductive layer being electrically connected only by means of the diode, feeding power to the n-side base conductive layer.
(FR) Un procédé de fabrication d'élément de conversion photoélectrique de la présente invention comprend : une étape de préparation d'un substrat semiconducteur ayant une portion semiconductrice de type n et une portion semiconductrice de type p qui configure une diode avec la portion semiconductrice de type n; une étape de formation d'une couche conductrice de base côté n dans au moins une partie de la portion semiconductrice de type n; une étape de formation d'une couche conductrice de base côté p dans au moins une partie de la portion semiconductrice de type p; et une étape de formation d'une couche plaquée dans au moins une partie de la couche conductrice de base côté n et au moins une partie de la couche conductrice de base côté p par immersion de la couche conductrice de base côté n et de la couche conductrice de base côté p dans une solution de placage, et, la couche conductrice de base côté n et la couche conductrice de base côté p étant électroconnectées uniquement au moyen de la diode, fournissant de l'énergie à la couche conductrice de base côté n.
(JA) 本開示の光電変換素子の製造方法は、n型半導体部と、前記n型半導体部と共にダイオードを構成するp型半導体部と、を有する半導体基板を準備する工程と、前記n型半導体部の少なくとも一部にn側下地導電層を形成する工程と、前記p型半導体部の少なくとも一部にp側下地導電層を形成する工程と、前記n側下地導電層と前記p側下地導電層とをめっき液に浸漬し、前記n側下地導電層と前記p側下地導電層とが、前記ダイオードのみによって電気的に接続された状態で、前記n側下地導電層を給電することにより、前記n側下地導電層の少なくとも一部と、前記p側下地導電層の少なくとも一部と、にめっき層を形成する工程と、を含む。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)