このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018181462) 芳香族化合物、有機半導体層、及び有機薄膜トランジスタ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/181462 国際出願番号: PCT/JP2018/012717
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 28.03.2018
IPC:
C07D 495/04 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01) ,H01L 51/30 (2006.01) ,H01L 51/42 (2006.01)
C 化学;冶金
07
有機化学
D
複素環式化合物(高分子化合物C08)
495
縮合系中に異項原子として硫黄原子のみをもつ少なくても1個の複素環を含有する複素環式化合物
02
縮合系が2個の複素環を含有するもの
04
オルソ―縮合系
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
30
材料の選択
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
42
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応に特に適用されるもの;輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するか,またはこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
出願人:
東ソー株式会社 TOSOH CORPORATION [JP/JP]; 山口県周南市開成町4560番地 4560, Kaisei-cho, Shunan-shi, Yamaguchi 7468501, JP
発明者:
渡辺真人 WATANABE Makoto; JP
蜂谷斉士 HACHIYA Hitoshi; JP
宮下真人 MIYASHITA Masato; JP
福田貴 FUKUDA Takashi; JP
上田さおり UEDA Saori; JP
岩永和也 IWANAGA Kazunari; JP
優先権情報:
2017-07122731.03.2017JP
2018-06078127.03.2018JP
発明の名称: (EN) AROMATIC COMPOUND, ORGANIC SEMICONDUCTOR LAYER, AND ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR
(FR) COMPOSÉ AROMATIQUE, COUCHE SEMI-CONDUCTRICE ORGANIQUE ET TRANSISTOR À COUCHE MINCE ORGANIQUE
(JA) 芳香族化合物、有機半導体層、及び有機薄膜トランジスタ
要約:
(EN) Provided are: a novel aromatic compound which serves as a coatable organic semiconductor material that has high carrier mobility, high heat resistance and adequate solubility; an organic semiconductor layer which uses this aromatic compound; an organic thin film transistor; and a method for producing a novel aromatic compound. An aromatic compound which is represented by general formula (1-I) or (1-II). (In the formulae, A represents a covalent bond, an oxygen atom, a sulfur atom, a selenium atom, NR14 or CR15=CR16; A1 represents CR3=CR4, an oxygen atom, a sulfur atom or a selenium atom; A2 represents CR7=CR8, an oxygen atom, a sulfur atom or a selenium atom; A3 represents CR5=CR6, an oxygen atom, a sulfur atom or a selenium atom; among the combinations of adjacent two moieties of R1-R8 moieties, one to three combinations form a monocyclic to fused tetracyclic ring, and all rings constituting the monocyclic to fused tetracyclic ring are four-membered to six-membered rings; each of the other moieties of the R1-R8 moieties, which does not constitute the monocyclic to fused tetracyclic ring, independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1-20 carbon atoms, an alkenyl group having 2-20 carbon atoms, an alkynyl group having 2-20 carbon atoms, an alkadienyl group having 4-22 carbon atoms, an alkadiinyl group having 4-22 carbon atoms or an aryl group having 4-26 carbon atoms; and each of R14-R16 moieties independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1-20 carbon atoms, an alkenyl group having 2-20 carbon atoms, an alkynyl group having 2-20 carbon atoms, an alkadienyl group having 4-22 carbon atoms, an alkadiinyl group having 4-22 carbon atoms or an aryl group having 4-26 carbon atoms.)
(FR) L'invention concerne : un nouveau composé aromatique qui sert de matériau semi-conducteur organique pouvant porter un revêtement et qui présente une mobilité de porteurs élevée, une résistance thermique élevée et une solubilité adéquate ; une couche semi-conductrice organique qui utilise ce composé aromatique ; un transistor à couche mince organique ; et un procédé de production d'un nouveau composé aromatique. L'invention concerne également un composé aromatique représenté par la formule générale (1-I) ou (1-II). (Dans les formules, A représente une liaison covalente, un atome d'oxygène, un atome de soufre, un atome de sélénium, NR14 ou CR15=CR16 ; A1 représente CR3=CR4, un atome d'oxygène, un atome de soufre ou un atome de sélénium ; A2 représente CR7=CR8, un atome d'oxygène, un atome de soufre ou un atome de sélénium ; A3 représente CR5=CR6, un atome d'oxygène, un atome de soufre ou un atome de sélénium ; parmi les combinaisons de deux fractions adjacentes des fractions R1-R8, une à trois combinaisons forment un cycle fusionné monocyclique à tétracyclique, et tous les anneaux constituant le cycle fusionné monocyclique à tétracyclique sont des anneaux de quatre à six chaînons ; chacune des autres fractions des fractions R1-R8, qui ne constitue pas le cycle fusionné monocyclique à tétracyclique, représente indépendamment un atome d'hydrogène, un atome d'halogène, un groupe alkyle ayant de 1 à 20 atomes de carbone, un groupe alcényle ayant de 2 à 20 atomes de carbone, un groupe alcynyle ayant de 2 à 20 atomes de carbone, un groupe alcadiényle ayant de 4 à 22 atomes de carbone, un groupe alcadinyle ayant 4 à 22 atomes de carbone ou un groupe aryle ayant 4 à 26 atomes de carbone ; et chacune des fractions R14-R16 représente indépendamment un atome d'hydrogène, un atome d'halogène, un groupe alkyle ayant de 1 à 20 atomes de carbone, un groupe alcényle ayant de 2 à 20 atomes de carbone, un groupe alcynyle ayant de 2 à 20 atomes de carbone, un groupe alcadiényle ayant de 4 à 22 atomes de carbone, un groupe alcadinyle ayant de 4 à 22 atomes de carbone ou un groupe aryle ayant 4 à 26 atomes de carbone.)
(JA) 高いキャリア移動度、高耐熱性、及び適当な溶解性を持つ塗布型の有機半導体材料である新規な芳香族化合物、これを用いた有機半導体層、有機薄膜トランジスタ、及び新規な芳香族化合物の製造方法を提供する。 下記一般式(1-I)または(1-II)で示される芳香族化合物。(ここで、Aは共有結合、酸素、硫黄、セレン、NR14、またはCR15=CR16を示し、AはCR=CR、酸素、硫黄、またはセレンを示し、AはCR=CR、酸素、硫黄、またはセレンを示し、AはCR=CR、酸素、硫黄、またはセレンを示す。R~Rの隣接する二つからなる組合せの内、1組~3組が単環~縮合4環を形成し、該単環~縮合4環を構成する全ての環が4~6員環である。該単環~縮合4環を形成しなかったR~Rは、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、炭素数1~20のアルキル基、炭素数2~20のアルケニル基、炭素数2~20のアルキニル基、炭素数4~22のアルカジエニル基、炭素数4~22のアルカジイニル基、または炭素数4~26のアリール基を示す。R14~R16は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、炭素数1~20のアルキル基、炭素数2~20のアルケニル基、炭素数2~20のアルキニル基、炭素数4~22のアルカジエニル基、炭素数4~22のアルカジイニル基、または炭素数4~26のアリール基を示す。)
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)