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1. (WO2018181296) チャネルエッチ型薄膜トランジスタの製造方法
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国際公開番号: WO/2018/181296 国際出願番号: PCT/JP2018/012407
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 27.03.2018
IPC:
H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/265 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/477 (2006.01) ,H01L 29/417 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26
波または粒子の輻射線の照射
263
高エネルギーの輻射線を有するもの
265
イオン注入法
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
34
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない21/06,21/16および21/18に分類されない半導体本体を有する装置
46
21/36~21/428に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
477
半導体本体の性質の改変のための熱処理,例.アニーリング,シンタリング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
40
電極
41
その形状,相対的大きさまたは配置に特徴のあるもの
417
整流,増幅またはスイッチされる電流を流すもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
発明者:
中村 好伸 NAKAMURA Yoshinobu; --
宮本 忠芳 MIYAMOTO Tadayoshi; --
代理人:
西澤 和純 NISHIZAWA Kazuyoshi; JP
三木 雅夫 MIKI Masao; JP
野村 進 NOMURA Susumu; JP
覚田 功二 KAKUTA Kouji; JP
優先権情報:
2017-06433429.03.2017JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING CHANNEL-ETCH-TYPE THIN FILM TRANSISTOR
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR À COUCHES MINCES DE TYPE À GRAVURE DE CANAL
(JA) チャネルエッチ型薄膜トランジスタの製造方法
要約:
(EN) A method for manufacturing a channel-etch-type thin film transistor according to one mode of the present invention is a method for manufacturing a channel-etch-type thin film transistor in which at least one electrode from among a source electrode and a drain electrode comprises a non-Al-metal layer/Al layer/non-Al metal layer laminated structure, and which has a channel layer comprising an oxide semiconductor, wherein the method has a step for forming an electrically conductive film for an electrode in which an electrically conductive film for use as the source electrode and the drain electrode is formed, an energy imparting step for imparting energy so as to reduce the volume of the Al layer in the electrically conductive film, an electrode formation step for forming the source electrode and the drain electrode by patterning the electrically conductive film, and a passivation film formation step for forming a passivation film.
(FR) La présente invention concerne, selon un mode de réalisation, un procédé de fabrication d'un transistor à couches minces de type à gravure de canal qui est un procédé de fabrication d'un transistor à couches minces de type à gravure de canal dans lequel au moins une électrode parmi une électrode source et une électrode déversoir comprend une structure stratifiée de couche de métal autre que Al/couche d'Al/couche de métal autre que Al, et qui a une couche de canal comprenant un semi-conducteur d'oxyde. Le procédé comprend une étape consistant à former un film électroconducteur pour une électrode dans laquelle un film électroconducteur destiné à être utilisé comme électrode source et électrode déversoir est formé, une étape de transmission d'énergie consistant à conférer de l'énergie de façon à réduire le volume de la couche d'Al dans le film électroconducteur, une étape de formation d'électrode consistant à former l'électrode source et l'électrode déversoir par la formation de motifs sur le film électroconducteur, et une étape de formation de film de passivation consistant à former un film de passivation.
(JA) 本発明の一態様によるチャネルエッチ型薄膜トランジスタの製造方法は、ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方の電極が、Al以外の金属層/Al層/Al以外の金属層の積層構造からなり、かつ、酸化物半導体からなるチャネル層を有するチャネルエッチ型薄膜トランジスタの製造方法において、ソース電極及びドレイン電極用の導電膜を成膜する電極用導電膜成膜工程と、前記導電膜中のAl層の体積を縮小させるようにエネルギーを付与するエネルギー付与工程と、前記導電膜をパターニングしてソース電極及びドレイン電極を形成する電極形成工程と、パッシベーション膜を形成するパッシベーション膜形成工程と、有する。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)