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1. (WO2018181240) 半導体ウェハ表面保護用粘着テープ及び半導体ウェハの加工方法
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国際公開番号: WO/2018/181240 国際出願番号: PCT/JP2018/012284
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 27.03.2018
IPC:
H01L 21/304 (2006.01) ,C09J 7/20 (2018.01) ,C09J 7/30 (2018.01) ,C09J 7/38 (2018.01) ,C09J 201/00 (2006.01) ,H01L 21/301 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
[IPC code unknown for C09J 7/20][IPC code unknown for C09J 7/30][IPC code unknown for C09J 7/38]
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
J
接着剤;接着方法一般の非機械的観点;他に分類されない接着方法;物質の接着剤としての使用
201
不特定の高分子化合物に基づく接着剤
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301
半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
683
支持または把持のためのもの
出願人:
古河電気工業株式会社 FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内2丁目2番3号 2-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008322, JP
発明者:
五島 裕介 GOTO, Yusuke; JP
代理人:
特許業務法人イイダアンドパートナーズ IIDA & PARTNERS; 東京都港区新橋3丁目1番10号 石井ビル3階 ISHII Bldg. 3F, 1-10, Shimbashi 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050004, JP
飯田 敏三 IIDA, Toshizo; JP
赤羽 修一 AKABA, Shuichi; JP
植松 拓己 UEMATSU, Takumi; JP
優先権情報:
2017-07134631.03.2017JP
発明の名称: (EN) ADHESIVE TAPE FOR SEMICONDUCTOR WAFER SURFACE PROTECTION, AND SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING METHOD
(FR) RUBAN ADHÉSIF POUR PROTECTION DE SURFACE DE TRANCHE SEMICONDUCTRICE ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE TRANCHE SEMICONDUCTRICE
(JA) 半導体ウェハ表面保護用粘着テープ及び半導体ウェハの加工方法
要約:
(EN) This adhesive tape for semiconductor wafer surface protection is used heat bonded, under conditions of 40°C to 90°C, onto the surface of the semiconductor wafer having a depression-to-protrusion height difference of greater than or equal to 20 μm; this adhesive tape for semiconductor wafer surface protection comprises a substrate film, and adhesive layer, and an intermediate resin layer between the substrate film and the adhesive layer, the thickness of the intermediate resin layer is greater than or equal to the aforementioned depression-to-protrusion height difference, the melting point or Vicat softening point of the resin constituting the intermediate resin layer is 40°C-90°C, and the melt mass-flow rate of the resin constituting the intermediate resin layer is 10 to 100 g/min. This semiconductor wafer processing method utilizes the adhesive tape for semiconductor wafer surface protection.
(FR) L'invention concerne un ruban adhésif pour protection de surface de tranche semiconductrice qui est utilisé de manière thermocollée, dans des conditions de 40 °C à 90 °C, sur la surface de la tranche semiconductrice ayant une différence de hauteur de creux à protubérance supérieure ou égale à 20 µm; ce ruban adhésif pour la protection de surface de tranche semiconductrice comprend un film de substrat, et une couche adhésive, et une couche de résine intermédiaire entre le film de substrat et la couche adhésive, l'épaisseur de la couche de résine intermédiaire est supérieure ou égale à la différence de hauteur de creux à protubérance susmentionnée, le point de fusion ou le point de ramollissement Vicat de la résine constituant la couche de résine intermédiaire est de 40 °C à 90 °C, et le débit massique en fusion de la résine constituant la couche de résine intermédiaire est de 10 à 100 g/min Ce procédé de traitement de tranche semiconductrice utilise le ruban adhésif pour la protection de surface de tranche semiconductrice.
(JA) 20μm以上の凹凸差を有する半導体ウェハの表面に、40℃~90℃の条件で加熱貼合して用いる半導体ウェハ表面保護用粘着テープであって、前記半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、基材フィルムと、粘着剤層と、該基材フィルムと該粘着剤層との間に中間樹脂層とを有し、前記中間樹脂層の厚みが、前記凹凸差以上であり、該中間樹脂層を構成する樹脂の融点若しくはビカット軟化点が40℃~90℃であり、該中間樹脂層を構成する樹脂のメルトマスフローレートが、10g/min~100g/minである、半導体ウェハ表面保護用粘着テープおよびそれを用いた半導体ウェハの加工方法。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020180132813CN109075055