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1. (WO2018181236) 半導体装置及びその製造方法
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国際公開番号: WO/2018/181236 国際出願番号: PCT/JP2018/012278
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 27.03.2018
IPC:
H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 23/29 (2006.01) ,H01L 23/36 (2006.01) ,H01L 23/373 (2006.01) ,H01L 23/40 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
29
材料に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
34
冷却,加熱,換気または温度補償用装置
36
冷却または加熱を容易にするための材料の選択または成形,例.ヒート・シンク
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
34
冷却,加熱,換気または温度補償用装置
36
冷却または加熱を容易にするための材料の選択または成形,例.ヒート・シンク
373
装置用材料の選択により容易になる冷却
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
34
冷却,加熱,換気または温度補償用装置
40
分離できる冷却または加熱装置のための取り付けまたは固着手段
出願人:
パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区城見2丁目1番61号 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207, JP
発明者:
一柳 貴志 ICHIRYU, Takashi; --
野村 雅則 NOMURA, Masanori; --
木下 雄介 KINOSHITA, Yusuke; --
石田 秀俊 ISHIDA, Hidetoshi; --
山田 康博 YAMADA, Yasuhiro; --
代理人:
特許業務法人北斗特許事務所 HOKUTO PATENT ATTORNEYS OFFICE; 大阪府大阪市北区梅田1‐12‐17 梅田スクエアビル9F Umeda Square Bldg., 9F., 1-12-17, Umeda, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300001, JP
優先権情報:
2017-07270231.03.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約:
(EN) The present invention addresses the problem of providing a semiconductor device in which it is possible to improve heat radiation properties and a method for manufacturing the semiconductor device. A semiconductor device (1) comprises a support substrate (2), a semiconductor chip (3), a resin body (4), and a metal layer (5) for heat radiation. The support substrate (2) has a first surface (21) and a second surface (22) on sides that oppose each other in the thickness direction of the support substrate (2). The semiconductor chip (3) has a plurality of electrodes (35). The semiconductor chip (3) is bonded to the support substrate (2) on the first-surface (21) side of the support substrate (2). The resin body (4) has a first surface (41) and a second surface (42) on sides that oppose each other in the thickness direction of the resin body (4). The resin body (4) covers at least a side surface (23) of the support substrate (2) and a side surface (33) of the semiconductor chip (3). The metal layer (5) for heat radiation is in contact with the support substrate (2) and the resin body (4) so as to cover at least part of the second surface (22) of the support substrate (2) and the second surface (42) of the resin body (4).
(FR) La présente invention aborde le problème de la fourniture d'un dispositif à semi-conducteur dans lequel il est possible d'améliorer les propriétés de rayonnement thermique et un procédé de fabrication du dispositif à semi-conducteur. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur (1) comprenant un substrat de support (2), une puce semi-conductrice (3), un corps en résine (4), et une couche métallique (5) pour un rayonnement thermique. Le substrat de support (2) a une première surface (21) et une seconde surface (22) sur des côtés qui s'opposent l'une à l'autre dans la direction de l'épaisseur du substrat de support (2). La puce semi-conductrice (3) comporte une pluralité d'électrodes (35). La puce semi-conductrice (3) est liée au substrat de support (2) sur le côté première surface (21) du substrat de support (2). Le corps en résine (4) a une première surface (41) et une seconde surface (42) sur des côtés qui sont opposés l'un à l'autre dans la direction de l'épaisseur du corps en résine (4). Le corps en résine (4) recouvre au moins une surface latérale (23) du substrat de support (2) et une surface latérale (33) de la puce semi-conductrice (3). La couche métallique (5) destinée au rayonnement thermique est en contact avec le substrat de support (2) et le corps de résine (4) de manière à recouvrir au moins une partie de la seconde surface (22) du substrat de support (2) et de la seconde surface (42) du corps de résine (4).
(JA) 本発明の課題は、放熱性の向上を図ることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することである。半導体装置(1)は、支持基板(2)と、半導体チップ(3)と、樹脂体(4)と、放熱用金属層(5)と、を備える。支持基板(2)は、その厚さ方向において互いに反対側にある第1面(21)及び第2面(22)を有する。半導体チップ(3)は、複数の電極(35)を有する。半導体チップ(3)は、支持基板(2)の第1面(21)側で支持基板(2)に接合されている。樹脂体(4)は、その厚さ方向において互いに反対側にある第1面(41)及び第2面(42)を有する。樹脂体(4)は、少なくとも支持基板(2)の側面(23)と半導体チップ(3)の側面(33)とを覆っている。放熱用金属層(5)は、支持基板(2)の第2面(22)と樹脂体(4)の第2面(42)の少なくとも一部とを覆うように支持基板(2)及び樹脂体(4)に接している。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)