このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018181204) 半導体発光モジュールおよびその制御方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/181204 国際出願番号: PCT/JP2018/012191
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 26.03.2018
IPC:
H01S 5/42 (2006.01) ,H01S 5/187 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
40
5/02~5/30に分類されない2個以上の半導体レーザの配列
42
表面放出型レーザの配列
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
10
光共振器の構造または形状
18
表面放出型レーザ(SEL)
187
分布ブラッグ反射器を用いるもの(SE-DBRレーザ)
出願人:
浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 静岡県浜松市東区市野町1126番地の1 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558, JP
発明者:
杉山 貴浩 SUGIYAMA Takahiro; JP
瀧口 優 TAKIGUCHI Yuu; JP
黒坂 剛孝 KUROSAKA Yoshitaka; JP
廣瀬 和義 HIROSE Kazuyoshi; JP
野本 佳朗 NOMOTO Yoshiro; JP
上野山 聡 UENOYAMA Soh; JP
代理人:
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi; JP
優先権情報:
2017-06157027.03.2017JP
2017-06157127.03.2017JP
2017-06157327.03.2017JP
2017-23619808.12.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING MODULE AND CONTROL METHOD THEREFOR
(FR) MODULE ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE COMMANDE
(JA) 半導体発光モジュールおよびその制御方法
要約:
(EN) A semiconductor light-emitting module according to this embodiment of the present invention is provided with: a plurality of semiconductor light-emitting elements that each output light of a desired beam projection pattern; and a support substrate that holds the semiconductor light-emitting elements. Each of the semiconductor light-emitting elements is provided with a phase modulation layer for forming a target beam projection pattern in a target beam projection region. The semiconductor light-emitting elements include first and second semiconductor light-emitting elements between which at least one of a beam projection direction, a target beam projection pattern, and a light-emitting wavelength, is different.
(FR) L'invention concerne un module électroluminescent à semi-conducteur comprenant : une pluralité d'éléments électroluminescents à semi-conducteur qui délivrent chacun une lumière d'un motif de projection de faisceau souhaité ; et un substrat de support qui maintient les éléments électroluminescents à semi-conducteur. Chacun des éléments électroluminescents à semi-conducteur est pourvu d'une couche de modulation de phase pour former un motif de projection de faisceau cible dans une région de projection de faisceau cible. Les éléments électroluminescents à semi-conducteur comprennent des premier et second éléments électroluminescents à semi-conducteur entre lesquels au moins l'un parmi une direction de projection de faisceau, un motif de projection de faisceau cible et une longueur d'onde d'émission de lumière est différent.
(JA) 本実施形態に係る半導体発光モジュールは、それぞれが所望のビーム投射パターンの光を出力する複数の半導体発光素子と、これら複数の半導体発光素子を保持する支持基板と、を備える。複数の半導体発光素子は、目標ビーム投射パターンを目標ビーム投射領域に形成させるための位相変調層をそれぞれ備える。複数の半導体発光素子は、ビーム投射方向、目標ビーム投射パターン、および発光波長のうち、少なくとも何れかが異なる第1および第2半導体発光素子を含む。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)