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1. (WO2018181202) 半導体発光素子およびその製造方法
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国際公開番号: WO/2018/181202 国際出願番号: PCT/JP2018/012188
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 26.03.2018
IPC:
H01S 5/42 (2006.01) ,H01S 5/026 (2006.01) ,H01S 5/18 (2006.01) ,H01S 5/20 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
40
5/02~5/30に分類されない2個以上の半導体レーザの配列
42
表面放出型レーザの配列
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
02
レーザ作用にとって本質的ではない構造的な細部または構成
026
モノリシックに集積された複数の構成,例.導波管,モニター用フォトデテクターまたは駆動素子
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
10
光共振器の構造または形状
18
表面放出型レーザ(SEL)
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
20
半導体本体の光を導波する構造または形状
出願人:
浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 静岡県浜松市東区市野町1126番地の1 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558, JP
発明者:
杉山 貴浩 SUGIYAMA Takahiro; JP
瀧口 優 TAKIGUCHI Yuu; JP
黒坂 剛孝 KUROSAKA Yoshitaka; JP
廣瀬 和義 HIROSE Kazuyoshi; JP
野本 佳朗 NOMOTO Yoshiro; JP
上野山 聡 UENOYAMA Soh; JP
代理人:
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi; JP
優先権情報:
2017-06158227.03.2017JP
2017-23619808.12.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光素子およびその製造方法
要約:
(EN) Embodiments of the present invention pertain to a single semiconductor light-emitting element that has a plurality of light-emitting units each capable of generating light of a desired beam projection pattern, and a method for manufacturing the semiconductor light-emitting element. This semiconductor light-emitting element has an active layer and a phase modulation layer formed on a common substrate layer, and at least the phase modulation layer includes a plurality of phase modulation regions arranged along the common substrate layer. The phase modulation regions are obtained by separately arranging at a plurality of portions in the phase modulation layer after production of the phase modulation layer. Thus, provided is a semiconductor light-emitting element having light-emitting units that are accurately positioned through a production process simpler than conventional technology.
(FR) Des modes de réalisation de la présente invention concernent un élément électroluminescent à semi-conducteur unique qui a une pluralité d'unités électroluminescentes chacune capable de générer de la lumière d'un motif de projection de faisceau désiré, et un procédé de fabrication de l'élément électroluminescent à semi-conducteur. Cet élément électroluminescent à semi-conducteur comprend une couche active et une couche de modulation de phase formée sur une couche de substrat commune, et au moins la couche de modulation de phase comprend une pluralité de régions de modulation de phase disposées le long de la couche de substrat commune. Les régions de modulation de phase sont obtenues par agencement séparé au niveau d'une pluralité de parties dans la couche de modulation de phase après la production de la couche de modulation de phase. Ainsi, l'invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteur ayant des unités électroluminescentes qui sont positionnées avec précision par l'intermédiaire d'un processus de production plus simple que la technologie classique.
(JA) 本実施形態は、所望のビーム投射パターンの光をそれぞれが生成可能な複数の発光部を有する単一の半導体発光素子およびその製造方法に関する。当該半導体発光素子は、共通基板層上に活性層と位相変調層が形成され、少なくとも位相変調層は、共通基板層に沿って配置された複数の位相変調領域を含む。複数の位相変調領域は、位相変調層の製造後に該位相変調層内の複数個所に分離することにより得られ、これにより、従来技術と比較して簡単な製造工程を経て正確に位置決めされた複数の発光部を備えた半導体発光素子が得られる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)