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1. (WO2018181198) 双方向スイッチ及びそれを備える双方向スイッチ装置
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国際公開番号: WO/2018/181198 国際出願番号: PCT/JP2018/012184
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 26.03.2018
IPC:
H01L 21/338 (2006.01) ,H01L 21/337 (2006.01) ,H01L 29/778 (2006.01) ,H01L 29/808 (2006.01) ,H01L 29/812 (2006.01) ,H03K 17/687 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
338
ショットキーゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
337
PN接合ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
778
二次元電荷担体ガスチャンネルをもつもの,例.HEMT
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
80
PN接合ゲートまたは他の整流接合ゲートによって生じる電界効果を有するもの
808
PN接合ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
80
PN接合ゲートまたは他の整流接合ゲートによって生じる電界効果を有するもの
812
ショットキーゲートを有するもの
H 電気
03
基本電子回路
K
パルス技術
17
電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
51
特定の構成要素の使用によって特徴づけられたもの
56
能動素子として半導体装置を用いるもの
687
装置が電界効果トランジスタであるもの
出願人:
パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 大阪府門真市大字門真1006番地 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP
発明者:
木下 雄介 KINOSHITA, Yusuke; --
山田 康博 YAMADA, Yasuhiro; --
一柳 貴志 ICHIRYU, Takashi; --
梅田 英和 UMEDA, Hidekazu; --
代理人:
特許業務法人北斗特許事務所 HOKUTO PATENT ATTORNEYS OFFICE; 大阪府大阪市北区梅田1‐12‐17 梅田スクエアビル9F Umeda Square Bldg., 9F., 1-12-17, Umeda, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300001, JP
優先権情報:
2017-07270131.03.2017JP
発明の名称: (EN) BIDIRECTIONAL SWITCH AND BIDIRECTIONAL SWITCH DEVICE COMPRISING SAME
(FR) COMMUTATEUR BIDIRECTIONNEL ET DISPOSITIF DE COMMUTATION BIDIRECTIONNEL LE COMPRENANT
(JA) 双方向スイッチ及びそれを備える双方向スイッチ装置
要約:
(EN) The present invention provides: a bidirectional switch capable of improving the stability of switching operation; and a bidirectional switch device comprising same. The bidirectional switch (8a) comprises: a first horizontal transistor (1) having a first semiconductor layer (11) upon the surface of a first conductive layer (10); a second horizontal transistor (2) having a second semiconductor layer (21) upon the surface of a second conductive layer (20); a connecting section (5a); a first conductor (61a); and a second conductor (62a). The connecting section (5a) has the first horizontal transistor (1) and the second horizontal transistor (2) connected in anti-series. The first conductor (61a) electrically connects a first source electrode (1S) in the first horizontal transistor (1) and the first conductive layer (10). The second conductor (62a) electrically connects a second source electrode (2S) in the second horizontal transistor (2) and the second conductive layer (20).
(FR) La présente invention concerne : un commutateur bidirectionnel capable d'améliorer la stabilité de l'opération de commutation; et un dispositif de commutation bidirectionnel le comprenant. Le commutateur bidirectionnel (8a) comprend : un premier transistor horizontal (1) ayant une première couche semi-conductrice (11) sur la surface d'une première couche conductrice (10); un second transistor horizontal (2) ayant une seconde couche semi-conductrice (21) sur la surface d'une seconde couche conductrice (20); une section de connexion (5a); un premier conducteur (61a); et un second conducteur (62a). La section de connexion (5a) a le premier transistor horizontal (1) et le second transistor horizontal (2) connectés en antisérie. Le premier conducteur (61a) connecte électriquement une première électrode de source (1S) dans le premier transistor horizontal (1) et la première couche conductrice (10). Le second conducteur (62a) connecte électriquement une seconde électrode de source (2S) dans le second transistor horizontal (2) et la seconde couche conductrice (20).
(JA) 本発明の課題は、スイッチング動作の安定性を向上させることが可能な双方向スイッチ及びそれを備える双方向スイッチ装置を提供することである。双方向スイッチ(8a)は、第1導電性層(10)の表面上にある第1半導体層(11)を有する第1横型トランジスタ(1)と、第2導電性層(20)の表面上にある第2半導体層(21)を有する第2横型トランジスタ(2)と、接続部(5a)と、第1導体部(61a)と、第2導体部(62a)と、を備える。接続部(5a)は、第1横型トランジスタ(1)と第2横型トランジスタ(2)とを逆直列に接続している。第1導体部(61a)は、第1横型トランジスタ(1)の第1ソース電極(1S)と第1導電性層(10)とを電気的に接続している。第2導体部(62a)は、第2横型トランジスタ(2)の第2ソース電極(2S)と第2導電性層(20)とを電気的に接続している。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)