このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018181130) 複合焼結体、静電チャック部材、静電チャック装置および複合焼結体の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/181130 国際出願番号: PCT/JP2018/012039
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 26.03.2018
IPC:
C04B 35/117 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01) ,H02N 13/00 (2006.01)
C 化学;冶金
04
セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B
石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
35
組成に特徴を持つ成形セラミック製品;セラミック組成;セラミック製品を製造するための無機化合物粉末の処理
01
酸化物を基とするもの
10
酸化アルミニウムを基とするもの
111
ファインセラミックス
117
複合組成物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
683
支持または把持のためのもの
H 電気
02
電力の発電,変換,配電
N
他類に属しない電機
13
静電気の吸引力を用いたクラッチ,把持装置,例.ジョンソン一ラーベック効果を用いたもの
出願人:
住友大阪セメント株式会社 SUMITOMO OSAKA CEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区六番町6番地28 6-28, Rokuban-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 1028465, JP
発明者:
日▲高▼ 宣浩 HIDAKA Nobuhiro; JP
木村 直人 KIMURA Naoto; JP
代理人:
西澤 和純 NISHIZAWA Kazuyoshi; JP
佐藤 彰雄 SATO Akio; JP
萩原 綾夏 HAGIWARA Ayaka; JP
優先権情報:
2017-06871030.03.2017JP
発明の名称: (EN) COMPOSITE SINTERED BODY, ELECTROSTATIC CHUCK MEMBER, ELECTROSTATIC CHUCK DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING COMPOSITE SINTERED BODY
(FR) CORPS FRITTÉ COMPOSITE, ÉLÉMENT DE MANDRIN ÉLECTROSTATIQUE, DISPOSITIF DE MANDRIN ÉLECTROSTATIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CORPS FRITTÉ COMPOSITE
(JA) 複合焼結体、静電チャック部材、静電チャック装置および複合焼結体の製造方法
要約:
(EN) A composite sintered body of a ceramic material including a metal oxide, which is a main phase, and silicon carbide, which is a subphase, wherein silicon carbide crystal grains are dispersed within metal-oxide crystal grains and at boundaries between the metal-oxide crystal grains, and the ratio of the silicon-carbide crystal grains dispersed within the metal-oxide crystal grains is 25% or more of the total silicon-carbide crystal grain content in terms of the area ratio.
(FR) La présente invention concerne un corps fritté composite d'un matériau céramique comprenant un oxyde métallique, qui est une phase principale, et du carbure de silicium, qui est une sous-phase, des grains cristallins de carbure de silicium étant dispersés dans des grains cristallins d'oxyde métallique et aux frontières entre les grains cristallins d'oxyde métallique, et le rapport des grains cristallins de carbure de silicium dispersés dans les grains cristallins d'oxyde métallique est 25 % ou plus par rapport à la teneur totale en grains cristallins de carbure de silicium en termes de rapport de surface.
(JA) 主相である金属酸化物と、副相である炭化ケイ素と、を含むセラミックスの複合焼結体であり、前記炭化ケイ素の結晶粒は、前記金属酸化物の結晶粒内および前記金属酸化物の結晶粒界に分散しており、前記金属酸化物の結晶粒内に分散している前記炭化ケイ素の結晶粒の割合は、炭化ケイ素の結晶粒全体に対し面積比で25%以上である複合焼結体。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)