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1. (WO2018181104) ドライエッチング方法またはドライクリーニング方法

Pub. No.:    WO/2018/181104    International Application No.:    PCT/JP2018/011990
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Mar 27 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 21/302
C23C 16/44
H01L 21/205
H01L 21/3065
Applicants: KANTO DENKA KOGYO CO., LTD.
関東電化工業株式会社
Inventors: TAKAHASHI, Yoshinao
高橋 至直
FUKAE, Katsuya
深江 功也
KATO, Korehito
加藤 惟人
Title: ドライエッチング方法またはドライクリーニング方法
Abstract:
多結晶シリコン(Poly-Si)や単結晶シリコン(単結晶Si)、アモルファスシリコン(a-Si)といったSiを主要な成分とする膜を選択的にエッチングする方法。また、化学気相成長(CVD)装置など成膜を行う装置の試料室内に堆積、付着したSiを主成分とする堆積物、付着物を装置内部にダメージを与えずに除去、クリーニングする方法を提供する。 モノフルオロインターハロゲンガス(XF、ここで、XはCl,Br,Iのいずれかである。)と一酸化窒素(NO)を同時に、エッチング、もしくは成膜を行う装置の内部に導入し、熱で励起することで、SiNやSiO2のエッチングレートを低下させるとともに、Poly-Siや単結晶Si、a-Si等のSiを主成分とする膜を選択的、且つ高速にエッチングすることができる。また、CVD装置等の成膜を行う装置の内部に堆積、付着したSiを主成分とする堆積物、付着物を装置内部にダメージを与えずに除去、クリーニングすることが可能である。