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1. (WO2018181054) 有機半導体素子、有機半導体組成物、有機半導体膜の製造方法、有機半導体膜、並びに、これらに用いる化合物及びポリマー
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国際公開番号: WO/2018/181054 国際出願番号: PCT/JP2018/011873
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 23.03.2018
IPC:
H01L 51/30 (2006.01) ,C07D 333/50 (2006.01) ,C07D 495/22 (2006.01) ,C08G 61/12 (2006.01) ,C08K 5/34 (2006.01) ,C08L 65/00 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
30
材料の選択
C 化学;冶金
07
有機化学
D
複素環式化合物(高分子化合物C08)
333
異項原子として1個の硫黄原子のみをもつ5員環を含有する複素環式化合物
50
炭素環または環系と縮合するもの
C 化学;冶金
07
有機化学
D
複素環式化合物(高分子化合物C08)
495
縮合系中に異項原子として硫黄原子のみをもつ少なくても1個の複素環を含有する複素環式化合物
22
縮合系が4個以上の複素環を含有するもの
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
61
高分子の主鎖に炭素―炭素連結基を形成する反応により得られる高分子化合物
12
高分子の主鎖に炭素以外の原子を含む高分子化合物
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
K
無機または非高分子有機物質の添加剤としての使用(ペイント,インキ,ワニス,染料,艶出剤,接着剤C09)
5
有機配合成分の使用
16
窒素含有化合物
34
異項原子として窒素を有する複素環式化合物
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
L
高分子化合物の組成物
65
主鎖に炭素―炭素結合を形成する反応によって得られる高分子化合物の組成物;そのような重合体の誘導体の組成物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
国立大学法人東京大学 THE UNIVERSITY OF TOKYO [JP/JP]; 東京都文京区本郷七丁目3番1号 3-1, Hongo 7-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1138654, JP
発明者:
白兼 研史 SHIROKANE, Kenji; JP
福▲崎▼ 英治 FUKUZAKI, Eiji; JP
谷 征夫 TANI, Yukio; JP
玉國 史子 TAMAKUNI, Fumiko; JP
宇佐美 由久 USAMI, Yoshihisa; JP
渡邉 哲也 WATANABE, Tetsuya; JP
岡本 敏宏 OKAMOTO, Toshihiro; JP
竹谷 純一 TAKEYA, Junichi; JP
代理人:
特許業務法人イイダアンドパートナーズ IIDA & PARTNERS; 東京都港区新橋3丁目1番10号 石井ビル3階 ISHII Bldg. 3F, 1-10, Shimbashi 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050004, JP
飯田 敏三 IIDA, Toshizo; JP
赤羽 修一 AKABA, Shuichi; JP
優先権情報:
2017-07181731.03.2017JP
発明の名称: (EN) ORGANIC SEMICONDUCTOR ELEMENT, ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPOSITION, ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM PRODUCTION METHOD, ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM, AND COMPOUND AND POLYMER USED THEREFOR
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, COMPOSITION SEMI-CONDUCTRICE ORGANIQUE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FILM SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, FILM SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, ET COMPOSÉ ET POLYMÈRE UTILISÉS À CET EFFET
(JA) 有機半導体素子、有機半導体組成物、有機半導体膜の製造方法、有機半導体膜、並びに、これらに用いる化合物及びポリマー
要約:
(EN) Provided are: an organic semiconductor element in which an organic semiconductor layer comprises a compound represented by formula (1) and/or a compound represented by formula (2), or a polymer having either of the structures represented by formulas (9) and (10); an organic semiconductor film used for the organic semiconductor layer in such an element, and a production method therefor; and compounds, polymers, and compositions used for the organic semiconductor film. X1 represents a nitrogen atom or CRa, and rings A-D each represent a specific aromatic ring or a heteroaromatic ring. Y1 represents an oxygen atom, a sulfur atom, CRb2, or NRc. Ra-Rc each represent a hydrogen atom or a substituent group. R1 and R2 each represent a specific substituent group, n is 1 or 2, and "*" represents a binding site.
(FR) L'invention concerne : un élément semi-conducteur organique dans lequel une couche semi-conductrice organique comprend un composé représenté par la formule (1) et/ou un composé représenté par la formule (2), ou un polymère ayant l'une ou l'autre des structures représentées par les formules (9) et (10); un film semi-conducteur organique utilisé pour la couche semi-conductrice organique dans un tel élément, et son procédé de production; et des composés, des polymères et des compositions utilisés pour le film semi-conducteur organique. X1 représente un atome d'azote ou CRa, et des cycles A à D représentent chacun un cycle aromatique spécifique ou un cycle hétéroaromatique. Y1 représente un atome d’oxygène, un atome de soufre, CRb 2, ou NRc. Ra-Rc représentent chacun un atome d’hydrogène ou un groupe de substitution. R1 et R2 représentent chacun un groupe de substitution spécifique, n est 1 ou 2, et "*" représente un site de liaison.
(JA) 有機半導体層が式(1)の化合物及び/又は式(2)の化合物を含有し、又は式(9)及び(10)のいずれかの構造を有するポリマーを含有する有機半導体素子、この素子における有機半導体層に用いる有機半導体膜及びその製造方法、上記有機半導体膜に用いる化合物、ポリマー及び組成物。 Xは窒素原子又はCRを示し、環A~環Dは特定の芳香族環又は芳香族複素環を示す。 Yは酸素原子、硫黄原子、CR、又はNRを示す。 R~Rは水素原子又は置換基を示す。 R及びRは特定の置換基を示す。 nは1又は2である。 *は結合部位を示す。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)