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1. (WO2018181044) III族窒化物半導体発光素子およびその製造方法

Pub. No.:    WO/2018/181044    International Application No.:    PCT/JP2018/011845
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Mar 24 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 33/32
H01L 21/205
Applicants: DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
DOWAエレクトロニクス株式会社
Inventors: WATANABE Yasuhiro
渡邉 康弘
Title: III族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
Abstract:
従来よりも発光出力を維持することのできる信頼性の向上したIII族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 本発明のIII族窒化物半導体発光素子は、基板上に、n型半導体層、発光層、p型電子ブロック層、AlxGa1-xNよりなるp型コンタクト層およびp側反射電極をこの順に備え、前記発光層からの中心発光波長は265nm以上330nm以下であり、前記p型コンタクト層は前記p側反射電極と接し、かつ、前記p型コンタクト層の厚さが20nm以上80nm以下であり、前記p型コンタクト層のAl組成比xが下記式(1)を満たす。  ただし、上記式(1)中、λpは前記中心発光波長(nm)である。