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1. (WO2018181019) 半導体装置およびその製造方法
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国際公開番号: WO/2018/181019 国際出願番号: PCT/JP2018/011766
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 23.03.2018
IPC:
H01L 21/8239 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 49/00 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
45
電位障壁または表面障壁をもたず,整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される固体装置,例.誘電体三極素子;オブシンスキー効果装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
49
27/00~47/00および51/00に分類されず,他のサブクラスにも分類されない固体装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人:
日本電気株式会社 NEC CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝五丁目7番1号 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001, JP
発明者:
岡本 浩一郎 OKAMOTO Koichiro; JP
多田 宗弘 TADA Munehiro; JP
伴野 直樹 BANNO Naoki; JP
代理人:
下坂 直樹 SHIMOSAKA Naoki; JP
優先権情報:
2017-07148531.03.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
要約:
(EN) The present invention provides a resistance change element that improves set voltage variation between elements. Provided is a semiconductor device that includes at least two resistance change elements, a first terminal, and a second terminal. The resistance change elements each have a first electrode, a second electrode, and a resistance change layer interposed between the first electrode and the second electrode, and has a function of changing a resistance value reversibly on the basis of an electric signal applied between two electrodes, that is to say, the first electrode and the second electrode. The first electrode of each resistance change element is electrically connected to the first terminal, the second electrode of each resistance change element is electrically connected to the second terminal, the resistance change layers are separated from each other between the resistance change elements, and the second electrodes are separated from each other between the resistance change elements and are electrically connected to each other only via the second terminals.
(FR) La présente invention concerne un élément de changement de résistance qui améliore la variation de tension réglée entre des éléments. L'invention concerne un dispositif à semiconducteur qui comprend au moins deux éléments de changement de résistance, une premiere borne et une seconde borne. Les éléments de changement de résistance comprennent chacun une première électrode, une seconde électrode et une couche de changement de résistance interposée entre la première électrode et la seconde électrode, et a pour fonction de modifier une valeur de résistance de manière réversible sur la base d'un signal électrique appliqué entre deux électrodes, c'est-à-dire la première électrode et la seconde électrode. La première électrode de chaque élément de changement de résistance est électroconnectée à la première borne, la seconde électrode de chaque élément de changement de résistance est électroconnectée à la seconde borne, les couches de changement de résistance sont séparées les unes des autres entre les éléments de changement de résistance, et les secondes électrodes sont séparées les unes des autres entre les éléments de changement de résistance et sont électroconnectées les unes aux autres uniquement par l'intermédiaire des secondes bornes.
(JA) 素子間のセット電圧ばらつきを改善した抵抗変化素子を提供する。少なくとも2つ以上の抵抗変化素子と、第1端子と、第2端子と、を含む半導体装置であって、前記抵抗変化素子は、それぞれ、第1電極と、第2電極と、第1電極および第2電極に挟まれた抵抗変化層とを有し、第1電極と第2電極の2電極間に印加される電気的信号に基づいて、可逆的に抵抗値が変化する機能を有しており、前記抵抗変化素子の各第1電極と第1端子が電気的に接続されており、かつ各第2電極と第2端子が電気的に接続され、かつ、各抵抗変化層が各抵抗変化素子間で互いに分離されており、各第2電極が各抵抗変化素子間で互いに分離され、第2端子を介してのみ互いに電気的に接続されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)