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1. (WO2018180952) 窒化物半導体発光素子、窒化物半導体発光素子の製造方法及び窒化物半導体発光装置

Pub. No.:    WO/2018/180952    International Application No.:    PCT/JP2018/011598
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Mar 24 00:59:59 CET 2018
IPC: H01S 5/343
H01L 21/301
H01S 5/02
Applicants: PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD.
パナソニックIPマネジメント株式会社
Inventors: IKEDA Daisuke
池田 大祐
SHIMIZU Gen
清水 源
KITAGAWA Hideo
北川 英夫
TAKAYAMA Toru
高山 徹
ONO Masayuki
小野 将之
SAMONJI Katsuya
左文字 克哉
TOMITA Osamu
富田 修
KAWASAKI Satoko
川崎 里子
Title: 窒化物半導体発光素子、窒化物半導体発光素子の製造方法及び窒化物半導体発光装置
Abstract:
Y軸方向に延在する複数の導波路(201)を有する半導体層積層体(200A)が形成された半導体層積層基板(2)を分割してバー状基板(3)を作製し、縦方向分割線(YL)に沿ってバー状基板(3)を分割することで個片素子(4)を作製して窒化物半導体発光素子(1)を製造する方法において、個片素子(4)の導波路(201)は、一方の端部の幅が他端の端部の幅と異なり、かつ、X軸方向にオフセットされた位置に配置されており、X軸方向に隣り合う第1素子形成領域(301)及び第2素子形成領域(302)を有する半導体層積層基板(2)において、第1素子形成領域(301)を挟む2つの縦方向分割線(YL)と第2素子形成領域(302)を挟む2つの縦方向分割線(YL)とはX軸方向にずれている。