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1. (WO2018180869) めっき処理方法、めっき処理システム及び記憶媒体
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国際公開番号: WO/2018/180869 国際出願番号: PCT/JP2018/011364
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 22.03.2018
IPC:
C23C 18/16 (2006.01) ,C23C 18/18 (2006.01) ,H01L 21/288 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
18
液状化合物または溶液のいずれかからなる被覆形成化合物の分解による化学的被覆であって表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの;接触メッキ
16
還元または置換によるもの,例.無電解メッキ
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
18
液状化合物または溶液のいずれかからなる被覆形成化合物の分解による化学的被覆であって表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの;接触メッキ
16
還元または置換によるもの,例.無電解メッキ
18
被覆される材料の前処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283
電極用の導電または絶縁材料の析出
288
液体からの析出,例.電解液からの析出
出願人:
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
発明者:
水谷 信崇 MIZUTANI Nobutaka; JP
岩井 和俊 IWAI Kazutoshi; JP
代理人:
永井 浩之 NAGAI Hiroshi; JP
中村 行孝 NAKAMURA Yukitaka; JP
佐藤 泰和 SATO Yasukazu; JP
朝倉 悟 ASAKURA Satoru; JP
森 秀行 MORI Hideyuki; JP
優先権情報:
2017-07241031.03.2017JP
発明の名称: (EN) PLATING METHOD, PLATING SYSTEM AND STORAGE MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ DE PLACAGE, SYSTÈME DE PLACAGE ET SUPPORT D'INFORMATIONS
(JA) めっき処理方法、めっき処理システム及び記憶媒体
要約:
(EN) According to the present invention, a substrate processing method comprises: a step for preparing a substrate which has, in the surface, a first portion that is formed of a silicon compound containing nitrogen and a second portion that is formed of a material which is different from the material of the first portion; a SAM formation step for forming a self-assembled monomolecular film (SAM) on the surface of the substrate; a catalyst application step for applying a catalyst to the substrate by supplying a catalyst-containing liquid to the substrate on which the SAM has been formed; and a plating step for plating the substrate to which the catalyst has been applied. The SAM formation step is carried out by supplying an agent for SAM formation to the substrate, said agent having no functional group that contains nitrogen.
(FR) La présente invention concerne un procédé de traitement de substrat comprenant : une étape destinée à préparer un substrat qui comporte, dans la surface, une première partie qui est formée d'un composé de silicium contenant de l'azote et une seconde partie qui est formée d'un matériau qui est différent du matériau de la première partie ; une étape de formation de SAM destinée à former un film monomoléculaire auto-assemblé (SAM) sur la surface du substrat ; une étape d'application de catalyseur destinée à appliquer un catalyseur au substrat en fournissant un liquide contenant un catalyseur au substrat sur lequel le SAM a été formé ; et une étape de placage destinée à plaquer le substrat auquel le catalyseur a été appliqué. L'étape de formation de SAM est réalisée en fournissant un agent destiné à la formation de SAM au substrat, ledit agent ne comportant pas de groupe fonctionnel contenant de l'azote.
(JA) 基板処理方法は、表面に、窒素を含むシリコン化合物からなる第1部分と、第1部分とは異なる材料からなる第2部分とを有する基板を準備する工程と、基板の表面にSAM(自己組織化単分子膜)を形成するSAM形成工程と、SAMが形成された基板に触媒含有液を供給して、基板に触媒を付与する触媒付与工程と、触媒が付与された基板にめっきを施すめっき工程と、を備える。SAM形成工程は、窒素を含む官能基を有しないSAM形成用の薬剤を前記基板に供給することにより行われる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)